Đề thi mẫu và Bài giải MDT2

KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN CƠ SỞ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
MẠCH ĐIỆN TỬ 2 (ELEC330362)
ĐỀ THI MẪU VÀ ĐÁP ÁN
ThS. TRƯƠNG THỊ BÍCH NGÀ Giới Thiệu 2 • Thời gian: 75 phút • Hình thức:
▪ Trắc nghiệm và tự luận ▪ Gồm 19 câu:
o 15 câu trắc nghiệm – 3 điểm
o 4 bài tập tự luận – 7 điểm
ThS. Trương Thị Bích Ngà Giới Thiệu 3
Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức)
[CLO1]: Khả năng phân tích và thiết kế các thông số của mạch điện tử ứng dụng như mạch khuếch
đại tín hiệu nhỏ, mạch khuếch đại công suất, mạch dao động……
[CLO2]: Đọc được datasheet và áp dụng trong phân tích và mô phỏng mạch khuếch đại dùng
transistor đa tầng ở vùng tần số thấp trung bình và cao.
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 4
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 5
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 6
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 7
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 8
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 9
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 10
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 11
ThS. Trương Thị Bích Ngà Đề thi mẫu 12
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 13
PHẦN I: TRẮC NGHIỆM (3 điểm ) Câu a b c d Câu a b c d Câu a b c d 1 x 6 x 11 x 2 x 7 x 12 x 3 x 8 x 13 x 4 x 9 x 14 x 5 x 10 x 15 x
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 14
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm ) Câu 16 (3đ): a. Sơ đồ tương đương DC VCC 15V R4 R9 3kΩ R5 120kΩ 820kΩ Q1 Q2 R2 R3 1kΩ R8 20kΩ 2kΩ (0.25đ)
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 15
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm ) Câu 16 (3đ): VCC
a. Điểm làm việc của Q1
R = R9 // R2 = 120 // 20 = 1 . 17  k th R4RC R 20 3k V 2 = V = 15 = V 14 . 2 th R + R CC 20 +120 2 9 Xét mạch vòng BE Rth Q1 V − . 0 7 14 . 2 − 7 . 0 Th Vth I = = = 012 . 0 2mA B R + ( + ) 1 R 1 . 17 + x 101 1 R3 Th 4 RE 1k I = I = 22 . 1 mA C B Xét mạch vòng CE
Mạch tương đương Thevenin V
= V − I (R + R ) = 15 − 3 ( 22 . 1 + ) 1 = V 1 . 10 CE CC C 4 3
Vậy: Q1(VCE=10.1V; IC = 1.22mA) (0.5đ)
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 16
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm ) Câu 16 (3đ):
b. Đường tải DCLL của Q2
𝑰𝑪𝟐 = −𝟎. 𝟓𝑽𝑪𝑬𝟐 + 𝟕. 𝟓 (0.25đ) IC 7.5 Q2 1.29 12.4 15 VCE
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 17
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm ) Câu 16 (3đ): c.
Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ (0.5đ) R1 Ib2 > > 500Ω Ib1 hie2 hfe2Ib2 A B R9 R2 R4 R5 hie1 hfe1Ib1 + VS1 120kΩ 3kΩ 820kΩ 20kΩ RL R8 Vo 820Ω 2kΩ -
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 18
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm ) Câu 16 (3đ): d. Zi và AV 26𝑚𝑉 𝑟𝑒1 = = 21.3Ω và h 1.22 ie1=2.13kΩ 26𝑚𝑉 𝑟𝑒2 = = 20.2Ω và h 1.29 ie2=2.02kΩ
Zi= R9//R2//hie1= 1.88kΩ (0.25đ) R1 A Ib2 V2=1 (0.25đ) > > 500Ω Ib1 hie2 hfe2Ib2 AV1=-134 (0.25đ) A B R9 R2 R4 R5 A hie1 hfe1Ib1 +
VT=Av1*Av2=-134 (0.25đ) VS1 120kΩ 3kΩ 820kΩ 20kΩ RL R8 Vo 820Ω 2kΩ -
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 19
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm ) Câu 16 (3đ):
e. Q2 nằm giữa DCLL
Q2(7.5V;3.75mA)=> R5=163kΩ (0.25đ)
f. Tần số cắt thấp do ảnh hưởng của tụ C2 1 f = 2.96 𝐻𝑧 LC2= 2𝜋 𝑅4+𝑍𝑖2 𝐶2
ThS. Trương Thị Bích Ngà Bài giải 20
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm )
Câu 17 (1.25đ):
a. Mạch khuếch đại cộng không đảo hay khuếch đại cộng không đảo trung bình. (0.25đ)
b. Phương trình điện áp ra VO=2.75(V1+V2+V3) (0.5đ) c. Nếu 𝑉 R5 47kΩ
1 = 2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡(𝑉),𝑉2 = 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 (𝑉) và V3=2V V VCC O=8.25sinωt+5.5(V) 10V R6 4.7kΩ U2 => Vo bị méo R1 4.7kΩ + VEE V1 RL Vo R2 4.7kΩ -10V 47kΩ V2 R3 4.7kΩ 10 - V3 5.5 (0.5đ) R4 4.7kΩ -2.75
ThS. Trương Thị Bích Ngà