Đề thi cuối kỳ học kỳ II năm học 2023-2024 môn: Mạch điện tử 1 | Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành Phố Hồ Chí Minh

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ II NĂM HỌC 2023-2024 THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH Môn: Mạch điện tử 1 KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ Mã môn học: ELEC230262 ------------------------- Đề số/Mã đề: 01 Đề thi có 6 trang. Thời gian: 75 phút.
Được phép sử dụng 1 tờ giấy A3 (hoặc 2 tờ A4) chép tay
PHẦN I: TRẮC NGHIỆM (3 điểm )
Câu 1: Dòng điện trong chất bán dẫn là dòng tham gia của:
a. Các điện tử (electron) tự do. c. Các ion âm. b. Các lỗ trống (hole).
d. Các điện tử tự do và lỗ trống.
Câu 2: Tại nhiệt độ phòng, lỗ trống trong chất bán dẫn tạp chất dạng n là:
a. Hạt tải thiểu số được tạo ra từ nhiêt độ.
c. Hạt tải đa số được tạo ra từ nhiệt độ.
b. Hạt tải thiểu số mà được tạo ra từ nguyên
d. Hạt tải đa số mà được tạo ra từ nguyên tố tạp tố tạp chất. chất.
Câu 3: Vùng nghèo (tiếp xúc) trong chuyển tiếp p-n gồm
a. Các hạt tải thiểu số c. Chỉ có ion dương và âm b. Các hạt tải đa số d. Tất cả đều đúng
Câu 4: Trong mạch hình 1, đây là mạch: a. Mạch xén Hình 1 D1 b. Mạch kẹp c. Chỉnh lưu bán kỳ T1
d. Mạch chỉnh lưu toàn kỳ RL 220Vrms 330Ω 5:1 D2
Câu 5: Trong mạch hình 1 với D1 và D2 là loại Si, thì điện áp ra trung bình trên RL (VODC) là a. 19.4V c. 38.8V b. 13.6V d. 27.6V
Câu 6: Trong mạch hình 1, dòng trung bình qua mỗi diode là a. 58.8mA c. 41.2mA b. 29.4mA d. 20.6mA
Câu 7: Cho mạch như hình 2 biết diode trong mạch là loại Si, điên áp cung cấp cho tải (load) là bao nhiêu ?
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020 Trang: 1/6 a. 15V Hình 2 D1 b. 14.3V 15V c. 12V D2 LOAD SOURCE d. 11.3V V1 12V
Câu 8: Trong BJT loại pnp, thì để transistor dẫn ở vùng khuếch đại thì các chuyển tiếp:
a. BE phải được phân cực thuận và BC phải bị
c. BE và BC phải bị phân cực nghịch phân cực nghịch
b. BE phải bị phân cực nghịch và mối nối BC
d. BE và BC phải được phân cực thuận
phải được phân cực thuận
Câu 9: Để một E-MOSFET kênh n dẫn điện thì điện áp VGS phải: a. Nhỏ hơn V c. Nhỏ hơn Vp th (threshold voltage) b. Lớn hơn V d. Lớn hơn Vp th (threshold voltage)
Câu 10: Trong hình 3, ký hiệu nào là của Diac a. D1 Hình 3 b. D2 D1 D2 D3 D4 c. D3 d. D4
Câu 11: BJT loại npn, khi hoạt động tại vùng khuếch đại thì: a. c.
𝐼 = 𝛽𝐼 và 0 < 𝑉 < 𝑉 𝐼 =0 và 𝑉 = 𝑉 b. d.
𝐼 = 𝛽𝐼 và 0 < 𝑉 𝐼 = 𝐼 và 𝑉 ≅0
Câu 12: Cho mạch như hình 4, hãy cho biết V1 tối thiểu bằng bao nhiêu để mạch ổn áp? Hình 4 a. 3.3V R1 b. 3.96V 200Ω c. 6.6V + RL d. Tất cả đều sai V1 D1 1kΩ 3V3 Vo -
Câu 13: SCR không thể tắt bằng phương pháp nào
a. Giảm dòng qua SCR thấp hơn dòng duy trì I
c. Phân cực ngược A và K H b. Ngắt nguồn
d. Kích một xung âm tại cực G
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020 Trang: 2/6
Câu 14: Cho mạch như hình 5 với led1 có Vɤ=1.7V và Q1 có β=100, thì khi VA=5V thì Q1 có a. I Hình 5: B=0.43mA VCC b. IB=0.5mA 5.0V c. IB=27.8mA R2 d. Tất cả đều sai 180Ω LED1 R1 Q1 A 10kΩ
Câu 15: Cho mạch như hình 5 với led1 có Vɤ=1.7V và Q1 có β=100, thì khi VA=5V thì Q1 có a. I c. IC=18.3mA C=43mA b. I d. Tất cả đều sai C=50mA
Câu 16: Mạch hình 6, Q1 có : a. I Hình 6 D = 3.33 mA VDD b. ID = 2.9 mA 10V c. ID =1.88 mA R2 d. Tất cả đều sai 3kΩ R1 C1 1MΩ 1µF Q1 C2 V1 Vth=3V 1Vpk 1µF ID(on)=4mA 1kHz VGS(on)=5V 0°
Câu 17: Mạch hình 6, Q1 có a. VDS = 0V c. VDS = 4.36V b. VDS = 1.3V d. Tất cả đều sai.
Câu 18: Mạch hình 6, Q1 mắc theo kiểu a. S chung (CS) c. G chung (CG) b. D chung (CD) d. E chung (CE)
Câu 19: Trong các dạng mạch khếch đại dùng BJT thì mạch luôn luôn có hệ số khuếch đại áp Av≈1 là mạch
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020 Trang: 3/6 a. E chung (CE) c. C chung (CC) b. B chung (CB) d. Tất cả đều sai
Câu 20: Cho bảng thông số của transistor 2SD468 ở bảng 1 trang 5, hãy cho biết transistor có hệ số β là bao nhiêu? a. β= 85 c. β= 240 b. β= 190 d. 85≤ β≤ 240
PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm)
Câu 21 (2đ): Cho mạch như hình 7, biết nguồn Hình 7 V V i=10sin120πt(V). Si
a. Tìm điện áp ngưỡng của Vi để diode dẫn. Vi 2V +
b. Hãy giải thích, tìm và vẽ sóng ra Vo. 10Vpk R1 60Hz
c. Nếu gắn thêm 1 điện trở R Vo 2=1kΩ song song 0° 1kΩ
với R1 thì ngưỡng dẫn diode có thay đổi -
không, nếu có hãy vẽ lại sóng ra.
Câu 22 (2đ): Cho mạch như hình 8, biết transistor Q1 có 𝐼
= 5𝑚𝐴 𝑣à 𝑉 = −3𝑉 .
a. Vẽ sơ đồ tương đương DC và tìm điểm làm việc tĩnh Q của transistor Q1
b. Viết phương trình và vẽ đồ thị đường tải DCLL của Q1
c. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
d. Tính Zi và AV của mạch. Hình 8: 10V RD 3kΩC2 1µF + C1 Q1 RL 1µF Vo Vi C3 3kΩ V2 RG RS 1mVpk 1MΩ 1kΩ 1kHz 47µF 0° -
Câu 23 (3đ): Cho mạch khuếch đại như hình 9. Biết rằng, transistor Q1 có β1=150
a. Tìm điểm làm việc tĩnh Q của transistor Q1.
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020 Trang: 4/6
b. Viết phương trình đường tải ACLL và tim maxswing(vop).
c. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ và tính Zi, Zo, AVS.
d. Vẽ sóng điện áp tại cực C của Q1 và Vo, nếu V1=0.2sin2000πt(V).
e. Hãy tính lại R1 để điểm làm việc Q của transistor Q1 nằm chính giữa đường tải ACLL. Hình 9 VCC 12V R3 R1 5.1kΩ 33kΩ C1 1µF + R6 C2 Q1 1kΩ 1µF V1 RL Vo 0.2Vpk 3kΩ 1kHz R2 R4 C3 0° 4.7kΩ 1kΩ 47µF -
=======================================================
Ghi chú: CBCT không giải thích đề thi. Bỏ 1 đề thi vào túi đựng bài thi Bảng 1
Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức) Nội dung kiểm tra
[CLO1]: Khả năng giải thích được cấu trúc và nguyên lý hoạt động của Câu 1, 2, 3, 8, 9, 10, 11, các linh kiện bán dẫn. 13,
[CLO1]: Phân tích các thông số cơ bản của mạch điện tử đơn giản. Câu 4, 5, 6, 7, 12, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 22, 23
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020 Trang: 5/6
[CLO2]: Đọc được các thông số cơ bản của linh kiện bán dẫn trong Câu 20 datasheet. Ngày 31 tháng 5 năm 2024
Thông qua Trưởng Bộ môn (ký và ghi rõ họ tên)
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020 Trang: 6/6