Tóm tắt kiến thức Chương 1 đến 4 môn Lý thuyết trường điện tử và siêu cao tần | Học viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông

lOMoAR cPSD| 58736390
Chương 1: Trường điện từ cơ bản
1. Các toán tử Vector (Grad, Div, Rot):
- Grad: Độ dốc trường vô hướng, ký hiệu ∇φ.
- Div: Độ phân kỳ trường vector, ký hiệu ∇·A.
- Rot: Độ xoáy, ký hiệu ∇×A.
2. Phổ điện từ và Sóng siêu cao tần:
- Microwave: 300 MHz – 300 GHz.
- Công thức: λ = c/f (c ≈ 3×10^8 m/s).
- Ứng dụng: Radar, Wi-Fi, vệ tinh, vi ba. 3. Các vectơ đặc trưng:
- E (V/m): Cường độ điện trường, D = εE. - D (C/m²): Điện cảm.
- B (Tesla): Cảm ứng từ, B = μH.
- H (A/m): Cường độ từ trường.
4. Phương trình Maxwell-Faraday: - ∇ × E = -∂B/∂t
5. Phương trình Maxwell-Ampere: - ∇ × H = J + ∂D/∂t
Chương 2: Đường dây truyền sóng 1. Mô hình truyền sóng:
- Phân bố: R, L, G, C dọc theo dây.
- Tập trung: Thông số tại điểm cố định.
2. Phương trình và nghiệm sóng:
- ∂²V/∂z² = γ²V → V(z) = V⁺e^(-γz) + V⁻e^(γz) lOMoAR cPSD| 58736390
3. Thông số sơ cấp/thứ cấp: - Sơ cấp: R, L, G, C.
- Thứ cấp: Z0, γ, λ, Vp, α, β. 4. Dây không tổn hao:
- R = G = 0 → Z0 = √(L/C), Vp = 1/√(LC). 5. Phản xạ, công suất: - Γ = (ZL - Z0)/(ZL + Z0) - VSWR = (1 + |Γ|)/(1 - |Γ|) 6. Tổn hao:
- RL: tổn hao do phản xạ. - IL: tổn hao chèn. 7. Trở kháng vào:
- Zin = Z0 * (ZL + jZ0tanβd)/(Z0 + jZLtanβd)
Chương 3: Đồ thị Smith 1. Cấu trúc:
- Trục thực: trở kháng thuần.
- Điểm ngắn mạch: trái, điểm hở: phải.
2. Đường đẳng kháng và đẳng trở:
- Đẳng kháng: cố định phần thực.
- Đẳng trở: cố định phần ảo. 3. Ứng dụng:
- Tính Γ, VSWR, Z(x), phối hợp trở kháng. lOMoAR cPSD| 58736390
Chương 4: Phối hợp trở kháng 1. Điều kiện:
- ZL = Z0 để truyền công suất tối đa. 2. Stub phối hợp:
- Dùng đoạn λ/4 hoặc ngắn hơn.
- Dùng đồ thị Smith để chọn vị trí stub.
Chương 5–6–7: Mạng nhiều cực & linh kiện siêu cao tần 1. Ma trận tán xạ [S]:
- b = S * a với S là ma trận 2x2 cho mạng 2 cổng. 2. Tính chất: - Tổn hao: |Sij| < 1.
- Không tổn hao: S†S = I. - Đối xứng: S12 = S21. - Tương hổ: Sij = Sji.
- Pha: góc của Sij liên quan tín hiệu.