Chương 3: Các Mạch Khuếch Đại Tín Hiệu Bé - Bài Tập & Lời Giải tài liệu tham khảo môn Lịch sử Đảng | Trường đại học Mở Hà Nội
Để phân tích và tính toán các thông số kỹ thuật đối với bộ khuếch đạiđiện tử dùng transistor làm việc ở chế độ tín hiệu bé thưòng dựa vào các loại sơ đồ tưcmg đương.Transistor thường được biểu diễn bằng hai loại sơ đồ tương đương.Tài liệu giúp bạn tham khảo ôn tập và đạt kết quả cao. Mời bạn đọc đón xem!
Môn: Lịch sử Đảng (ĐHM) 78 tài liệu
Trường: Đại học Mở Hà Nội 791 tài liệu
Tác giả:
Preview text:
lOMoAR cPSD| 48599919 C h ư ơ n g 3
CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU BÉ
3.1 . TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT
Để phân tích và tính toán các thông số kỹ thuật đối v ới bộ khuếch đại
điện tử dùng transistor làm việc ở chế độ tín hiệu bé th ưòng dựa vào các loại
sơ đồ tưcmg đương.
Transistor thường được biểu diễn bằng hai loại sơ đồ tư ơng đương:
- Loại thứ nhất gọi là sơ đồ tương đưcmg vật lý hay sơ đồ tưofng đưcfng
hình T và cũng có tên gọi là sơ đồ tương đương The (
ĩg transi stor model).
- Loại thứ hai được gọi là sơ đồ tương đưong tham sô' bao gồm các tham
số trở kháng, điện dẫn hoặc hỗn hợp.
Cả hai loại sơ đồ tương đương của transistor có thể coi l à không phụ
thuộc vào tần số đến một phạm vi khá cao:
- Đối với các loại transistor lưỡng cực ( BJT) khi tần số tí n hiệu
f,< (0 ,l-f 0,5)f,.
- Đối với các loại transistor hiệu ứng trường (F
ET) khi tần số tín hiệu f,<(10^ 150)MHz.
ở phạm vi tần số cao hơn những số liệu trên, khi sử dụng các loại sơ đổ
tương đưofng phải được lựa chọn một cách thích hợp và không được bỏ qua
ảnh hưởng của các tụ ký sinh (Cj(;s) bản thân transistor
đến sự truyền đạt tín hiệu qua nó.
Với mỗi kiểu mắc đối với transistor có ba họ đặc tuyến Volt-Am pe
quan trọng: họ đặc tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến truyền đạt.
Có thể xây dựng đường tải một chiều (R.) và đường tải xoa y chiều (R_)
trên các họ đặc tuyến cơ bản của transistor và xác đ ịnh các tham số một
chiều cũng như xoay chiều của tầng khuếch đại điện tử. 6 6 5-250 BTKTĐIẸNTỬ.B Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
Các thông số kỹ thuật cơ bản đối với tầng khuếch đại điện t ử dùng
transistor bao gồm; trở kháng vào (Ry), trỏ kháng ra (R^a), các hệ số khuếch
đại điện áp (K u ) dòng điện ( K ị), công suất ( K p ).
Hệ số khuếch đại nhiều tầng ghép liên tiếp bằng tích c á
c hệ số thành phần.
3.2 . BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI
( 8 ^ Bài tập 3-1. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-1. a) Xác định r^.
b) Xác định trở kháng vào của tầng Ry.
c) Xác định trở kháng ra của tầng v
( ới fo = o ) o
d) Xác định hệ số khuếch đại điện áp Ku (với ĨQ = oo)
e) Xác định hệ số khuếch đại dòng điện K ¡ v
( ới ĨQ = ũo )
E .J 2 V CO II— u
Cj 10 | iF p =100 r„=50kQ Hình 3-1 Bài giải
Chọn transistor T loại Si và thiên áp Uggo =0,7V
a) Dòng tĩnh IgQ sẽ là: 12 V-0,7V , I bo = — = 24,04^iA Rg 470 kQ
Dòng tĩnh IgQ sẽ là: 1 ,0
=(1 + P)l 30 =(l + 100)24,04.10-'A = 2,428mA
Điện trở r, được xác định: 67 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
1 ^0 2 ,428.10-'
b) Trở kháng vào được tính:
Ry — Rb // TvT
trong đó T vt - trở kháng vào của transistor
fy^ = pr,= 100.10,71 = l,071kQ
Ry = 470//1,071 = l,069kQ.
c) Trở kháng ra của tầng được tính:
R„ = Rc // ĨQ = Rc // °0 = Rc = 3kQ.
d) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng: r, 10 , 71
e) Vì Rg > lOrvT = lOp.r, (470k0 > 10,71k0) nên Kị« p =100
Bài tập 3-2. Tính toán lặp lại cho bài tập trên*hình 3-1 vớ i ĨQ = 50kQ. Bài giải
Ta nhận thấy các thông số trong hai câu a, b sẽ khôgn
có gì thay đổi nên; a) r,= 10,710 b) Rv= l,071ka
c) Trở kháng ra của tầng được tính:
= R e // ro = 3 // 50 = 2,83kũ.
d) Hệ số khuếch đại điện áp của tẩng. -264,24 r.
10 , 71
e) Hệ số khuếch đại dòng điện Kj Y- _ P-Re-rp : 100 . 470.50 ^3
‘ ( ro+R^XRg + r^^)
(50+ 3)(470 + 1 ,071) ’
Có thể tính K: theo biểu thức khác: 68
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
K , = - K > = 2 H É Í3 1 ) W 9 =94,16 3
Bài tập 3-3. Cho tầng khuếch đại dùng transistor lưỡ ng cực (BJT) như
trên hình 3-2. Hãy xác định: + E^22V
^3 6 , 8 kQ R 56kn u n , lO^iF c'lOjiF X - p=90 ^1 R ra
ĩT R > 8 , 2 kfì n <
r C 3 20 |XF l,5kQ R, 1 Hình 3-2 a)r, b) Rv
c) R,, (với fo = 00 ) d) Ku (với To = co) e) Ki (với To = 00 ) Bài giải
Chọn transistor T loại Si vói thiê U
n áp ggo = 0,7V a) Ta có:
U = -M e e .. ^
2.22 ^ 2,81V
® R,+R 2 56+8,2
U e = U b - U 3 eo = 2.81-0,7 = 2,11V
Ig = - ^ = _ _ = l,41mA . l,5kQ Kết quả là; r,
= — = 18,44Q Ĩ e 1.41 69 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
b) Ta có: Rp = R, // Rj = 56kQ // 8,2kQ = 7,15kQ Và
Rv = Rp// ĨVT = Rp// p.r, = 7,15kQ // 90.18,44n
Rv = 7,15kQ// l, 66 kQ = l,35kQ.
c) R„ = Rc // fo = Rc // co = Rc = 6 , 8 kO.
d)K = - - ^ = - ^ = -368,76 r. 44 18 ,
e ) K ^ = ^ = ^
= 4 | L Ị L = 73,04. R, + r„ R,+p.r.
7 ,15+1, 66
Bài tập 3-4. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-2 . với To = 50kQ. Bài giải
Với hai câu a, b sẽ hoàn toàn tương tự trong bài 3-3 ng hĩa là: a)r,= 18,44Q b) Rv= ỉ,35kQ.
c) R„ = Rc // ro = R, // ro = 6 , 8 kQ // 50kQ = 5,98 kQ. d)K = - ^ = - ^ = -324,3 r,
18 , 44
_ ________ P '^ p '^0 _______ __ P-Rp-Fp _______
( ĩq+R(,)(Rp H-ry^-) (ĩ q+R 3 XRP+Pr^) 90.7,15.50
(50+6,8X7 ,15 + 1,66)
Bài tập 3-5. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-3 Hãy xác định: a)re b)R v C)R„ d)
e) K ị với mạch không có tụ Q . 70
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 + E,, 20V 2 , 2 k Q R. 470 k U,
CIO ịì P J— c, 10 ^F
K M 20 r =40ka 0 ,56kQ lỐụF Hình 3-3 Bài giải
Chọn transistor T loại s¡ với Uggo = 0,7V
a) Điện trở được tính như sau; J ^ 20-0,7 = — f
-------- - = 35,89|aA
R„+(1 + Ị3)R. 470.10 ’ + 121.0,56.10'
I eo =( P + l)lB0=121.35,89^A = 4,34mA. í
_Uj _ 26 và r =
= 5,990. EO
4 , 34
b) Rv = RJ/ rvT mà ĨVT = P(re + Re) = 120(5,99 + 560) = 67,92kQ.
Rv = 470kQ//67,92kQ.
c)R„ = R c//ro - Rc = 2,2kQ. r,„ , 67 92 ‘VT R
e) Kị= - K ^ ,^ = -(-3,89)^?4^ = 104,92. R 2 , 2
( ^ 8 ^ Bài tập 3-6. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-3 k hi có tụ Q Bài giải
Với câu a việc tính toán hoàn toàn tuofng tự trong bà i3 -5, nghĩa là: a) r, = 5,99Q 71 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
b) Vì điện ứở Re sẽ bị ngắn mạch đối với thành phần xoay chiều của tín
hiệu qua tụ Q nên: Ry = Rg // mà = p.ĩg nên:
Rv = Rb // p.ĩe = 470kQ // 120.599Q
= 470kQ / / 718,8 Q = 717J0Q . c) R„ = Rc = 2,2kQ. d) K„ =
= - ^ 4 4 ^ = -367,28 , 5 99 PR 120.470.1 ^ 0 e)K,= B _ = 119,82. Vr 470.10^+718,8
Bài tập 3-7 . Cho tầng khuếch đại dùng transistor nh ư trên hình 3-4 tầ
( ng lặp emitơ). Hãy xác định : a)r, b) Rv c) R. d)K, e) Ki Bài giải
Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V
a) Điện tì-ở được tính: 72
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 Ti,:
2 0 A 2 ^
“ RB+(l + ß)Rg
220 kQ + 101.3,3kO
= (1 + ß)ig^ = 101.20,42^A = 2,062mA nên: r =
= - — - ■ = 1 2,610 ' I eo 2,062 b ) R
R v = R b / / rvT = b / / ß-re + (1 + P ) R e
= 220kQ // 100.12,610 + 101.3,3kü
= 220kn // 334,56kQ = 132,72 kfì.
c) R,, = R e // r, = 3,3kQ // 12,61Q = 12,56Q = r,. = = 0,996 Uv r^+Rß ,3.1 3 0^ + 12, 61
e,K ,= - ^
= - - J 5 ^ = - 3 9 , 6 7 . R^+Tyj 220 + 334, 56
hoặc có thể xác định theo biểu thức khác:
Ki = - K„ ^ = -0,996
= -40, 06 ' ’ 3 ,3kQ ( 8
^ Bài tập 3-8. Tính toán lặp lại như bài 3-7 với ĨQ = 25k Q, xem hình 3-4. Bài giải
a) Việc tính toán đối với T(. giống như trong bài 3-7 nên:
= 12 ,61Q.
b) Vì To « coQ hay To < lORß nên Tvt được tính như sau: r„ = ß.r. + ^ I00.12.6in+ »295,7kfì l+ ñ e i + 3,3k£ỉ ĨQ 25 kQ và R v = R b // Tvt
= 2 2 0 k 0 // 295,7 kQ = 1 26 , 1 5 kfì.
c)R„ = RE//re=12,56Q. (1
+ ß ) ^
( 100 + 1 ) d) ^
= -------- - 1 M I = 0,996. 1 + —^ l + n i ro 25 73 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 126,15 kQ
e) K¡= - K ^ ^ = -0,996 = -38,07. 3 ,3kQ
Bài tập 3-9. Cho
tầng khuếch đại c, dùng transistor mắc t— 1 ^— •
10 ^F 1 ' ^ V lJ t, lO^iF BC 1
như trên hình 3-5 K Ỉ . Hãy xá : c định MkQ - ^ 5 kQ ư a)r, "Eee fEcc b)Rv C)R„
a = 0,98;ro= IMQ d) K, Hình 3-5 e) Ki Bài giải
Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V IkQ
nên r ,= Ìỉi = ^
= 20 Q. EO
b) Trở kháng vào khi mắc BC sẽ là:
Rv = R e / / T
e = IkQ//20Q = 19,61Q.
c) R,, = R e // ro = Rc // IMQ = Rg = 5kQ. K - _ 5.10^ d) K, = 250 20 e) Ki= ii- = -
^ = - ^ = -a = -0,98 = - l L, L, L
0 Bài tập 3-10. Qio tầng khuếch đại dùng transistor như trên hì nh 3 - 6 . Hãy xác định: a)r. 74
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 b) Rv c) R„ + E „ V 9 2 ,7kQ d) K, R ,180 kQ U e) K¡ I, QIO^F Bài giải c, lO^i p Chọn =200
transistor loại Si R., F r„=ooQ
v ớ ì U3, o = 0 , 7 V . R ra a) Từ: Hình 3-6 V 9 -0,7V ^BO — —
= ------ ----------------- = 1 l,53|.iA Rg+ịỉRc
180 kQ + 200 . 2 ,7kQ ~
Lo = (1 + P)Ibo = (1 +
200)11 ,53|aA = 2,32m A và 2 EO , 32 11 , 21 b) = 560,5Q 1 , 2,7 p R b 200 180
c) R,, = Rc // ro // R b với ĩo > lORc thì
R„ = Rc // R b và với Rg » Rc ta có;
K = Rc
ở đây ta tính được;
R„ = Rc // R b = 2,7kQ // 180kQ = 2,66kQ.
d) Ky =
= -240, 86 11 ,21 PR, 200.180 e) K.= = 50. Rg+pRc
180 + 200.2, 7
090 ) Bài tập 3-11 . Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hì nh 3-7. Hãy xác định: a) Rv b) R„ 75 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 c) • + E d) K; Bài giải u ra
a) Trở kháng vào của tầng được x ♦
ác định theo biểu thức: •
h ,,= 120 Rv =
R B / / h „ e = 330kQ// h,^=l,!75krì l,175kQ= l,171kQ. h22e=20jiAA^
b) Trở kháng ra của tầng Hình 3-7
được xác định theo biểu thức: 1 R
7/ R^ = r„ //R^= 50kQ // 2,7kQ = 2,56kQ .= =: R, '22e ở đây: = 50kQ '22e 20 V
c) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng sẽ là:
K „, . J ! L Z ^ , -262,34 ‘lie 1,171
d) Hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là;
K ,=Ị*-=I>j,.= 12 0 .
Bài tập 3-12 . Cho 20 V
tầng khuếch đại dùng transistor kn R, trường như 2 5 D
trên hình 3-8 . Hãy G xác định: Up=-8V Rv c, U. a)gm ưgso=- 2 V ư. Ij^=5,625mA b)r, Ì 2 V gd=40fiS c) Ry Hình 3-8 76
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 d) R. e)K , Bài giải
a) Từ phương trình Shockley đối với transistor trường loại J- FET ta có : 2ĩ_ 2.10 mA Sm„ = 2 ,5mS U 8 V U GS„ _ -2
) = 2,5mS(l— ^) = l, ê m Bm „ 88 mS U -8 _Ị 1 b) ''d= — = 25kQ ^ =
ểd 40.10 "* c)
Ry = R (3 / / Tyj = Rq // co — R-G — I M O
d) R„ = Ro // Td = 2 kQ // 25kQ = 1 ,85kO
e) Ku = -gl(Ro // rj = -l,88mS.l,85kO = -3,48.
( ^92^ Bài tập 3-13 . Cho tầng i
khuếch đại lặp dùng J-FET
'E dd ^V 0 ,05^F
như trên hình 3-9 và biết
n .... - ..
• i f ---- ^ thêm:
ư o so= - 2 , 86 V; aOSMF Uv , Up ^ Iivm
= -4 V; =4 ,56mA; > R,< > ^2 Idss = 16 mA; = 25 |^s.
2 , 2 kQ 3 Hãy xác định: K ra a)gm b)r, Hình 3-9 c) Rv d) R™ Bài giải 21 2.16 mA a) g = ' = Om - ỊJ 8 mS 4 V « ểtn êmo^^
= 8 mS(l — = 2,28raS U -4 77 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 1
b) 1 ;,= — = = 40kQ
gd 25 ^i S
c) R v = R o // T vt = Rg // 00 = R g = I M Q
d) R„ = r, // R, // — 1 = 40kQ // 2,2kQ // = 362,520 g m 2 ,28mS
@ Bài tập 3-14 . Cho tầng
khuếch đại dùng D-MOSPET
( MOSPET loại nghèo) như
ừên hình 3-10 và cho biết thêm: Uoso=0,35V;
Iqo = 7,6mA; Idss = 6 mA;
ủp = -3 V; g, = ỈOịi Hãy xác định; S. a)gm b)r, Hình 3-10
c) Vẽ sơ đồ tưcfng đương của tầng d)Rv e) R. f)Ku. Bài giải
a ) g „ „ = ^ = - ^ ^ = 4mS 3 V u,
0 , 35
g . = g . o a - ^ ) = 4(l = 4 ) ,046mS ư -3
b)fd= — = . - ^ = 100 kO. gd c)
Sơ đồ tưofng đương của tầng được vẽ như trên hình 3-
1 1 dưới đây.
d) Rv = R, // R, // rvT = R, // R 2 //
= Rj // R, = lOMQ // 1 lOMQ = 9,17MQ. 78
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
e) R„ = r, // Rd = (100 // l, 8 ) kQ = 1,77kQ
f) Ku = -g„.RD = -4,046mS.l,8 = -7,28. G D
» ------ m
RẬ^ c D D ^ Uv 1 llOMfi lOMQ Sm ^GS lOOkQ l,8kn " s Hinh 3-11
( 9 ^ Bài tập 3-15. Qio mạch khu&h đại dùng transistor E-MOS
F ET như trên hình 3-12.
+ Edd 12 V R 2 kQ
i; = 6 mA R.^IOMO R u;=8V ra Ut=3V U, c, 1 ^F gd =
20 ịiS (0 ,24.10-'AA^' ) R, k = 0,24 .10'’AA- ^ Ucso = 6,4V Hình 3-12 Itx) = 2 ,75mA Hãy xác định: a) gm b)r, c) Ry d) R., e) Ku Bài giải
a) g,„ = 2k(U.so-UT) = 2.0,24.10 "^(6,4-3) = l,63mS. 1
b) r,. = — = = 50kQ
gd 20 |aS 79 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 Rc+r,//Rp
_ 10 Mfì + 50kQ//2kQ = 2,42MQ
~ 1 + L ( Í
.//R d ) ~ l + l,63mS(50kQ//2kQ)
Nếu không tính đến ảnh hưởng của thì: ; g ____ __ 10 = 2,53MQ l + g„R^ + 1 1,63.2
d) R,, = Rc // r, H Rd = lOMQ // 50kQ // 2kQ = 1,92kQ. Khi r^i >
l ORp thì trở kháng ra có thể được tính:
R„ = Ro//Ro = RD = 2kQ
e) Ku = -g^.Ro = -1,63mS.2 = -3,26.
Khi bỏ qua ảnh hưởng của với r lORp.
Khi tính đến r¿ thì:
Ku = -g„,(Rc // ra //
R d ) = -1, 6 ms( 1OMQ // 50kQ // 2kQ) = -3,21.
( 9 ^ Bài tập 3-16 . Qìo tầng UoD 30V
khuếch đại dùng J-FET như R
trên hình 3-13 . Hãy xác
định điện trở tải một chiều Rp II T
của tầng vód hệ số
khuếch đại điện áp Ku = 10. R Ip55 = 1
g > lOMn Olĩl A Up = -4V Bài giải g, = 20tiS
Với Rs = Oíì trên sơ đồ
hình 3-13 của đầu bài ta có Hình 3-13
u Q 5 = ov và điều đó có nghĩa là: Ku = -gn,Rn. =
- gm„ Rra = -gmCRo // r g =
m „ (Rd / / Td)
Từ đó ta tính được: »
2 I 0 SS _ 2.10mA - gm„ = = 5mS Up 4 V
và ta có; Ky = -10 = -SmSíRp // r^) 10 nên; Rp // = = 2kQ 5 mS 80 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 Mặt khác ta có: 1 1 rd= — = = 5 0kfì g.
20 . 10 - ^
Khi đó: Rd // r, = Rd // 50kQ = 2kQ RoSOkQ R^+SOkQ
RoSOkQ = 2 (R d + 50)kQ
Vậy Rj) = 2,08kQ và chọn điện trở Rß theo tiêu chuẩn sẽ là Rjj = 2kQ.
( %) Bài tập 3-17 . Cho mạch khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14.
Hãy xác định điện trở Rj) và Rs với Ku = 8 và Uqs_ = —Up = -IV . Biết
thêm: Idss = lOmA; Up = -4V; gj = 20|J,S. ^DSS *” ỉômA U p = -4 V Ga = 20^lS Hình 3-14 Bài giải T- '
_ 2I dss _ 2.10mA Ta có; - = 5mS U,
và g„ = g „ „ ( l-^ ^ ) = 5 m s(l-^ ) = 3,75mS
mặt khác: Ku = -g„(RD // r
-8 = -3,75mS(Ro// r,) 6- 250BTKTĐÍỆNTỬ. A 81 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919 nên
R d // ra = R d // — = Ri, / / - ^ = R d //50kQ = 2 ,13kQ gd |a 20 S
Từ đó ta xác định được Ro = 2,2kQ (đúng theo tiêu chuẩn).
Để xác định điện trở Rs có thể xuất phát từ biểu thức; '^GSO “ ~^DO^S u GSO \2 ^DO — _ ý = lOmA = 5,625mA Up -4 ^Dss(^ Vậy Rs = ^
= 177, 80 I DO 5,625.10
Chọn theo bảng điện trở tiêu chuẩn Rs = 180Q. { ^9^ Bà
i tập 3-18. Qio tầng khuếch đại dùng J-FET như trên h ình 3-14 (xem
số liệu bài tập 3-17). Hãy xác định giá trị R|
5 , Rs khi không có tụ Q. Bài giải
Khi không có tụ Cs trên mạch, các đại lượng tính toán cho chế độ một
chiều của tầng không có gì thay đổi nghĩa là: ƯQSO = - ;
IV Ij 3 ò = 5,625iĩiA;
Rs = 180fì! (như trong bài 3-17).
Biểu thức tính hệ số khuếch đại điện áp Kjj sẽ là: — §m^D " l + Sn,Rs
3 , 75 mS.Rj 3 _ 3,75mS.Rp
8 = l + 3,75.10"^180 1+0,675
từ đó tính được R q sẽ là: 13 4
R ^=- — —- = 3,573kQ
° 3 ,75mS
Chọn điện trở Rp theo tiêu chuẩn là Rp = 3,6kQ. 82 6- 250BTKTĐIỆNTL
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
( ^98^ Bài tập 3-19. Cho bộ khuếch đại điện tử như trên hìn
h 3-15 . Hãy xác định
K^; Ry; Rn.; u^; u ’ với U gso =-1,9 V; Ioo=2,8mA và R, = lOkQ.
Ipss = lOmA; Up = -4V; Tị và T 2 cùng loại và có cùng các tham số. ra Hình 3-15 Bài giải _
_ 2.10 mA = 5mS êm o u 4 V U -1>9 ) = 5mS 1 = 2,6mS ê m m o^^ S Up 4 J Ku. = Ku, =
= -ê„Ri = -g„Rs = -2,6mS.2,4kQ = - 6 , 2
Hệ số khuếch đại Ku sẽ là:
K,=K,,.K^,^=(-6,2)(-6,2) = 38,4
Điện áp ra sẽ là:
u„ = Ky.Uv = 38,4. lOmV = 384mV
Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:
Ry = Rg = R 2 3 ,3MQ
Trở kháng ra của bộ khuếch đại là; 83 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
R, = R 5 = = 2,4kD.
Khi mắc tải R, = lOkQ, điện áp ra trên tải sẽ là: u,
= — —u = —i^384mV = 310mV ‘ R„+R, ” 2 ,4 + 10
( 9 ^ Bài tập 3-20. Cho bộ khuếch đại điện tử dùng BJT như trên hình 3-16
với Ub = 4,7V; Ue = 4V; Uc = i
1V; Ie = 4mA. Hãy xác định: K^; u„; Rv; r I mắc và u, khi tải R, = 1 OkO. • + E,, 20 V R
: R,2,2ka *^ R 15
7 > 2 , 2 kO kQ 5 10) iF
q 10 nF C ,10 |iF h - P=20Ó p Uv =200 c,
25 ^iV R < 4 J Ị^ 4 ,7kn ^6 1 20 mF Hình 3-16 Bài giải
Trước tiên ta xác định điện trở Tg 26 mV 26
= ^ = 6,5Q
Hệ số khuếch đại đỉện áp tầng 1:
r. _ R_Rc(//R4//R5//P-r.) *^u, ~ “ T T e 2 ,2kQ//(15k e
Q// 4,7kQ//200.6,5Q = -102, 6 3 ,5Q ở đây
R,, = R 3 //(R,//R,//p.rJ 84
Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com) lOMoAR cPSD| 48599919
Hệ số khuếch đại sẽ là:
. = _ ^ = _ ^ = _ ^
= _ 2 : ^ ._ 3 3 8 ,4 6 6 , 5 Ku = Ku,
= (-102,3){-338,46) = 34624
u„ = Kij.Uv = 34624.25^iV = 0,866V
Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:
Rv = R, // R, // pr, = 4,7kQ // 15kQ // 200.6,50 = 953 .6 Q Trở kháng ra:
— Rc ” ^6 ~ 2 , 2 kQ.
Khi mắc R, = l OkQ điện áp ra trên tải sẽ là:
u = — ^ — U = — 1 ^ 0.8 6 6 V = 0.71V
> 2 ,4 k n ^3 0 ,05^F 4 ,7kQ 4 = . 1 '5 100 fxF Hình 3-17 Bài giải
Hệ số khuếch đại của tầng thứ nhất: 85 Downloaded by Ahh Tran (Tranahh@gmail.com)