lOMoARcPSD|49153326
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA: ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
ĐỀ THI CUỐI K
Tên học phần: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
Mã học phần: 1063293 Số tín chỉ: 2
Phương pháp ánh giá (*): Tự luận Thời gian làm bài: 60 phút
Đề số: 15
Sinh viên không ược sử dụng tài liệu khi làm bài.
Sinh viên ược sử dụng tài liệu khi làm bài.
Câu 1 (Phần Diode 2.5 ):.
a) Cho mạch iện như hình vẽ. Diode D1 làm bằng Silicon(Si), Diode D2 làm bằng
Germany (Ge). Điện áp cung cấp V1 = 3(V). Điện trở R1 có giá trị bằng (200 +
số thứ tự trong danh sách) (Ω) (0.5 ). Tính dòng iện qua R1(1).
b) Dùng phương pháp CVD (mô hình sụt áp) giá trị iện áp ngưỡng khác 0
(Von≠0), biểu diễn mối quan hệ Vin (trục x) và Vout( trục y) (1 ).
lOMoARcPSD|49153326
2
Câu 2 (Chỉnh lưu 1.5 iểm):
Cho mạch chỉnh lưu bán k như hình trên, hãy giải thích 5-10 dòng, cơ chế hoạt
ộng của mạch trên(1 ). Biểu diễn các ồ thị Vin và Vout theo thời gian và chỉ rõ giá
trị iện áp gợn trên ồ thị (0.5 ).
Câu 3 (Phần MOSFET - 3 )
Cho mạch như hình vẽ. Biết iểm làm việc Q(I
D
,V
DS
)=(100μA,6V) V
DD
=10V, R
1
/R
2
=2/3,
Kn =25μA/V
2
, V
TN
=1V. Cho biết thiết bị hoạt ộng ng Saturation(bão hòa). Bỏ qua
ảnh hưởng của các hiệu ứng.
a) Tìm giá trị V
GS
? (1 )
b) Tìm giá trị R
D
và R
S
. (1 )
c) Tìm giá trị R
1
R
2
sao cho dòng iện qua R
1
R
2
nhỏ hơn 5% dòng iện qua cực
máng(drain current) (1 )
Câu 4 (Phần BJT- 3)
a) Cho một BJT mắc như hình vẽ, hãy cho biết BJT ang mắc ở trạng thái (vùng hoạt
ộng) nào? Và viết 5-10 dòng giải thích cơ chế hoạt ộng của BJT lúc này. (1 )
lOMoARcPSD|49153326
3
b) Cho mạch phân cực tĩnh sử dụng BJT nhình dưới ây, biết: R1 = 10(kΩ),
R2
= 90(kΩ), R3=500(Ω) Vcc = 9 (V), transistor Q có iện áp ngưỡng Von = 0.7 (V) hệ
số khuyếch ại ng iện β = 80. m iểm làm việc Q của BJT? (1 ) Biểu diễn iểm làm
việc trên ồ thị.(1 )
Tổng cộng có: 4 câu
(*) Phương pháp ánh giá ược mô tả trong ề cương học phần
Đà Nẵng, ngày 08 tháng 12 năm 2021
TRƯỞNG BỘ MÔN
TS. Nguyễn Duy Nhật Viễn.
lOMoARcPSD|49153326
4
Các công thức hỗ trợ
1. MOSFET
a) NMOS
b) PMOS
2. BJT:

Preview text:

lOMoARcPSD| 49153326
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA: ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ ĐỀ THI CUỐI KỲ
Tên học phần: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
Mã học phần: 1063293 Số tín chỉ: 2
Phương pháp ánh giá (*): Tự luận
Thời gian làm bài: 60 phút Đề số: 15
 Sinh viên không ược sử dụng tài liệu khi làm bài.
☐ Sinh viên ược sử dụng tài liệu khi làm bài.
Câu 1 (Phần Diode – 2.5 ):.
a) Cho mạch iện như hình vẽ. Diode D1 làm bằng Silicon(Si), Diode D2 làm bằng
Germany (Ge). Điện áp cung cấp V1 = 3(V). Điện trở R1 có giá trị bằng (200 +
số thứ tự trong danh sách) (Ω) (0.5 ). Tính dòng iện qua R1(1).
b) Dùng phương pháp CVD (mô hình sụt áp) có giá trị iện áp ngưỡng khác 0
(Von≠0), biểu diễn mối quan hệ Vin (trục x) và Vout( trục y) (1 ). lOMoARcPSD| 49153326 2
Câu 2 (Chỉnh lưu – 1.5 iểm):
Cho mạch chỉnh lưu bán kỳ như hình trên, hãy giải thích 5-10 dòng, cơ chế hoạt
ộng của mạch trên(1 ). Biểu diễn các ồ thị Vin và Vout theo thời gian và chỉ rõ giá
trị iện áp gợn trên ồ thị (0.5 ).
Câu 3 (Phần MOSFET - 3 )
Cho mạch như hình vẽ. Biết iểm làm việc Q(ID,VDS)=(100μA,6V) VDD=10V, R1/R2=2/3,
Kn =25μA/V2, VTN=1V. Cho biết thiết bị hoạt ộng ở vùng Saturation(bão hòa). Bỏ qua
ảnh hưởng của các hiệu ứng. a) Tìm giá trị VGS? (1 )
b) Tìm giá trị RD và RS. (1 )
c) Tìm giá trị R1 và R2 sao cho dòng iện qua R1 và R2 nhỏ hơn 5% dòng iện qua cực máng(drain current) (1 ) Câu 4 (Phần BJT- 3)
a) Cho một BJT mắc như hình vẽ, hãy cho biết BJT ang mắc ở trạng thái (vùng hoạt
ộng) nào? Và viết 5-10 dòng giải thích cơ chế hoạt ộng của BJT lúc này. (1 ) lOMoARcPSD| 49153326 3
b) Cho sơ ồ mạch phân cực tĩnh sử dụng BJT như hình dưới ây, biết: R1 = 10(kΩ), R2
= 90(kΩ), R3=500(Ω) Vcc = 9 (V), transistor Q có iện áp ngưỡng Von = 0.7 (V) và hệ
số khuyếch ại dòng iện β = 80. Tìm iểm làm việc Q của BJT? (1 ) Biểu diễn iểm làm việc trên ồ thị.(1 )
Tổng cộng có: 4 câu
(*) Phương pháp ánh giá ược mô tả trong ề cương học phần
Đà Nẵng, ngày 08 tháng 12 năm 2021 TRƯỞNG BỘ MÔN
TS. Nguyễn Duy Nhật Viễn. lOMoARcPSD| 49153326 4
Các công thức hỗ trợ 1. MOSFET a) NMOS b) PMOS 2. BJT: