Mẫu báo cáo thí nghiệm Lý 3| Môn Vật lý đại cương 3| Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Xác định bước sóng ánh sáng bằng giao thoa vân tròn Newton 0.16 3.2 4 1 2.84 4.80 5.85 0.613 0.008 0.328 0.011 2.86 4.70 5.87 0.575 0.030 0.365 0.026 2.82 4.84 5.85 0.631 0.026 0.315 0.024 2.83 4.75 5.88 0.600 0.005 0.353 0.014 2.85 4.79 5.86 0.606 0.001 0.334 0.005 0.613+0.575+0.631+0.600+0.606 0.605 5 0.008+0.030+0.026+0.005+0.001 0.014 5 0.328+0.365+0.315+0.353+0.334 0.339 5 0.011+0.026+0.024+0.014+0.005 0.016 5 11% 427,2 427,2 x 11% = 427,2 x 11/100 47 427 47
Không vẽ nối các điểm, mà đồ thị có xu hướng lượn sóng.
Không vẽ nối các điểm, mà đồ thị có xu hướng tuyến tính.
Đường thẳng không cần đi qua hết các ô sai số, qua đa số ô là được.
Định luật Stefan-Boltzmann được nghiệm đúng, giá trị n thu được bằng 5,72, có sự chênh lệch
với kết quả tính toán lý thuyết. Nguyên nhân sự sai lệch do điều kiện thực nghiệm không ổn
định, sai số ngẫu nhiên...
Khảo sát hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng qua cách tử phẳng
Xác định bước sóng ánh sáng. 11,5 0,13 15,3 0,69 19,1 1,57 22,9 0,30 26,7 1,10 11,7 0,17 15,5 0,55 19,3 1,95 23,1 0,25 26,9 1,13 11,9 0,22 15,7 0,40 19,5 2,05 23,3 0,22 27,1 1,08 12,1 0,29 15,9 0,40 19,7 2,37 23,5 0,21 27,3 0,93 12,3 0,33 16,1 0,33 19,9 2,80 23,7 0,14 27,5 0,72 12,5 0,40 16,3 0,26 20,1 3,14 23,9 0,18 27,7 0,58 12,7 0,43 16,5 0,25 20,3 3,40 24,1 0,17 27,9 0,49 12,9 0,51 16,7 0,22 20,5 3,60 24,3 0,19 28,1 0,40 13,1 0,58 16,9 0,22 20,7 3,72 24,5 0,23 28,3 0,31 13,3 0,67 17,1 0,22 20,9 3,63 24,7 0,32 28,5 0,24 13,5 0,88 17,3 0,22 21,1 3,18 24,9 0,37 28,7 0,19 13,7 1,0 17,5 0,24 21,3 2,48 25,1 0,45 28,9 0,15 13,9 1,11 17,7 0,27 21,5 1,98 25,3 0,50 29,1 0,12 14,1 1,18 17,9 0,30 21,7 1,60 25,7 29,3 0,10 0,56 14,3 1,21 18,1 0,37 21,9 1,31 29,5 0,10 25,9 0,62 14,5 1,23 18,3 0,56 22,1 0,98 26,1 0,74 14,7 1,20 18,5 0,81 22,3 0,73 26,3 0,89 14,9 1,03 18,7 1,05 22,5 0,56 26,5 0,95 15,1 0,83 18,9 1,26 22,7 0,41 26,7 1,02
- Đồ thị bài này không cần lấy tất cả các điểm. Có 3 đỉnh cực đại, tương ứng với mỗi đỉnh
cần ít nhất 5 điểm để vẽ. Như vậy, chỉ cần lấy tối thiểu 15 điểm để vẽ đồ thị.
- Không cần chú thích sai số.
sai số của x1 và x2 đều là 0,01mm => Δa(dc) = 0,02mm 0,18 0.18 4,1 4,1 25 %
Kết quả chỉ lấy phần nguyên như thế này, nếu sai số là hàng chục. 25 (1) 1,8x10^3 1,6x10^3 (2) 1,4x10^3 (3) 1,0x10^3 (4) 0,9x10^3 (5)
yêu cầu giá trị này không vượt quá 25%%
Hằng số plank được xác định qua thí nghiệm quang điện ngoài, giá trị thực nghiệm thu được gần đúng
với kết quả tính toán lý thuyết. Sai số xuất hiện chủ yếu do tác động của yếu tố bên ngoài như đèn sáng
không ổn định, sai số dụng cụ, sai số ngẫu nhiên... Bài số 6
KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH CỦA DIODE VÀ TRANSISTOR
Trường ………………………………………………
Xác nhận của giáo viên hướng dẫn
Lớp ………………………………………………
Họ tên ……………………………………………… I. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM
…………………Khảo sát đặc tính của Diode và Transistor……………………………………………………….
……………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………… II. KẾT QUẢ THÍ NGHIỆM 1. Kết quả đo A. Diode Bảng 1
Um = ……1…..( V ) ;
V = ……1,5…..(%) Thang đo
It = ……10….. (mA ) ;
A1 = ……1,5…..(%)
In = ……50…..(µA ) ;
A2 = ……1,5…..(%) U 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,44 0,48 0,52 0,56 0,6 0,64 0,69 0,72 Chiều (V) thuận I 0 0 0 0 0 0,2 0,4 0,8 1,6 3 5,2 9 10 (mA) U 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Chiều (V) nghịch I 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 (mA) B. Transistor Bảng 2
Um = ……1;10…..( V ) ; V = ……1,5…..% Thang đo
I1 = ……50….. (µA ) ;
A1 = ……1,5….. %
I2 = ……10…..(mA ) ;
A2 = ……1,5….. % UCE 0 0,04 0,08 0,12 0,16 0,2 0,24 0,28 0,32 0,36 0,4 0,6 0,8 1 2 3 IB = (V) 10µA IC 0 0,08 0,34 1,2 2 2,2 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 (mA) UCE 0 0,04 0,08 0,12 0,16 0,2 0,24 0,28 0,32 0,36 0,4 0,6 0,8 1 2 3 IB = (V) 20µA IC 0 0,16 0,92 2,2 4 5 5,4 5,4 5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 5,6 (mA) UCE 0 0,04 0,08 0,12 0,16 0,2 0,24 0,28 0,32 0,36 0,4 0,6 0,8 1 2 3 IB = (V) 30µA IC 0 0,24 1,6 4,2 6,4 7,6 8,0 8,2 8,4 8,4 8,4 8,4 8,4 8,4 8,4 8,4 (mA) UCE IB = (V) 40µA IC (mA) 10
2. Vẽ đồ thị đặc trưng Von – Ampe của Diode I = f (U)
Chú ý : Các số đo của U và I đều có sai số là U và I nên mỗi điểm vẽ của đường đực trưng tương ứng
với một cặp số của U và I đều phải biểu diễn bằng một hình chữ nhật có tâm là tọa độ (U,I) và độ dài
mỗi cạnh là 2U và 2I, với U và I được xác định như sau:
U = Um.V = ……1x0,015………………… = ……0,015… (V)
I1 = I1m.A1 = ……10x10-3x0,015……….. = ……1,5x10-4…. (A) = 0,15 (mA)
I2 = I2m.A2 = ……50x10-6x0,015……….. = ……7,5x10-7…. (A) = 0,75 (µA) I (mA) 9
2U = 0,03 (V) 8
2I = 0,3 (mA) 7 6 5 4 3 2 1 Ut (V) Un (V) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Kích thước ô sai số:
- Với đồ thị chiều thuận: Trục Ut được đo với đồng hồ có thang đo là 1 V, vì vậy kích thước chiều ngang ô
sai số bằng 1x0,015x2 = 0,03 (V). Trục I đô với đồng hồ có thang đo là 10 mA, vì vậy kích thước chiều cao
ô sai số bằng 10x0,015x2 = 0,3 (mA).
- Với đồ thị chiều ngược: Không cần biểu diễn ô sai số vì hai lý do. Lý do thứ nhất là các đại lượng I tương
ứng của đặc trưng I-V đều bằng 0, lý do thứ hai là thang đo của đồng hồ đo rất nhỏ (µA), mà trục tung hai
bên là như nhau, nên không thể biểu diễn được chiều cao ô sai số. Nếu các bạn biểu diễn ô sai số thì nó sẽ
là đường nét liền nằm ngang (dài 0,3 V). 11
3. Vẽ đồ thị đặc trưng Von – Ampe của Transistor I = f (UCE) và đặc tính IC = f(IB) IC(mA
2UCE = 0,03 (V)
2UCE = 0,3 (V)
2IB = 1,5 (µA) )
2IC = 0,3 (mA)
2IC = 0,3 (mA) A
2IC = 0,3 (mA) B C IB(µA) UCE(V) 35 30 25 20 15 10 5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Kích thước ô sai số:
- Trong phần đo đặc tính I-V chúng ta sử dụng hai thang đo ứng với dải đo UCE khác nhau. Khi UCE nhỏ
hơn 1V thì dùng thang 1 V và khi đó kích thước chiều rộng ô sai số bằng 1x0,015x2 = 0,03 V. Khi UCE lớn
hơn 1V thì dùng thang 10 V và khi đó kích thước chiều rộng ô sai số bằng 10x0,015x2 = 0,3 V. Đối với
thang đo IC bài xử lý này dung 1 thang duy nhất là 10 mA nên chiều cao các ô sai số đều bằng 1x0,015x2
= 0,03 mA. Tóm lại phần đồ thị phía bên phải có hai dạng ô sai số, các bạn chú ý.
- Phần đồ thị phía bên trái dung để tính hệ số khuếch đại dòng của transistor. Kích thước chiều cao ô sai
số bằng với chiều cao các ô sai số ở đồ thị bên phải trục tung. Chiều rộng ô sai số biểu diễn cho dòng IB
với thang đo 50µA, kích thước nó bằng 50x0,015x2 = 1,5µA. -3 I (A) - I (B) 8,4 - 2,4 10
Hệ số khuếch đại dòng của Transistor:  = tg  = …AB/BC…. = C C = . = 300 -6 I (B) - I (C) 30 - 10 10 B B 12