CHƯƠNG 4
Câu 1: Trình bày khái niệm, phân loại và ký hiệu các loại FET ?
Câu 2: Trình bày cấu tạo, nguyên lý hoạt động, đặc tuyến và các thông số của FET ?
Câu 3: Trình bày về kỹ thuật phân cực và các chế độ làm việc của FET ?
Câu 4: Hãy so sánh đặc tính của BJT và FET ?
Câu 5: Trình bày cấu tạo, nguyên lý làm việc của MOSFET kênh có sẵn ?
Câu 6: Mô tả đặc tuyến và các thông số cơ bản của D-MOSFET ?
Câu 7: Trình bày cấu tạo, nguyên lý làm việc của MOSFET kênh cảm ứng ?
Câu 8: Mô tả đặc tuyến và các thông số cơ bản của E-MOSFET ?
Câu 9: Hãy so sánh đặc tính của D-MOSFET và E-MOSFET ?
Câu 10: Trình bày các cách mắc cơ bản của FET và tính chất đặc trưng ?
Câu 11: Cho mạch như hình 4.1 có Vp = -8V, IDSS = 10mA, RD = 2KΩ,
RG = 1MΩ, VGG = 2V, VDD = 16V.
a. Tính các thông số phân cực tĩnh của sơ đồ: VGSQ, IDQ, VDS, VS, VG, VD
b. Viết phương trình, vẽ đồ thị đường tải tĩnh Hình 4.1 1
Câu 12: Cho mạch như hình 4.2 có Vp = -6V, IDSS = 8mA, RD = 3.3KΩ,
RG = 1MΩ, RS = 1KΩ, VDD = 20V.
a. Tính các thông số phân cực tĩnh của sơ đồ
b. Viết phương trình, vẽ đồ thị đường tải tĩnh Hình 4.2
Câu 13: Cho mạch điện như hình 4.3 có Vp = -4V, IDSS = 8mA, R2 =
2.1MΩ, R1 = 270KΩ, RD = 2.4KΩ, VDD = 16V
a. Tính các thông số phân cực tĩnh khi RS1 = 1.5KΩ
b. Tính các thông số phân cực tĩnh khi RS2 = 10KΩ
c. Viết phương trình khi RS1 = 1.5KΩ
d. Viết phương trình khi RS2 = 10KΩ
e. Vẽ đồ thị đường tải tĩnh ứng với RS1 = 1.5KΩ và RS2 = 10KΩ.
So sánh khi RS có giá trị thay đổi thì dòng ID thay đổi như thế nào ? Hình 4.3 2
Câu 14: Cho mạch phân cực D-MOSFET kênh N như hình 4.4. Cho biết
FET có các thông số sau: VGS(off) = Vp = -3V, IDSS = 6mA, R1 = 10MΩ,
R2 = 110MΩ, RD = 1.8KΩ, RS = 750Ω, VDD = 18V
a. Tính các thông số phân cực tĩnh: IDQ, VGSQ, VDSQ
b. Viết phương trình, vẽ đồ thị đường tải tĩnh Hình 4.4
Câu 15: Cho mạch như hình 4.5. Trong đó có ID(on) = 6mA, VGS(on) = 8V,
VGS(Th) = 3V RG = 10MΩ, RD = 2kΩ, VDD = 12V.
a. Tính các thông số phân cực tĩnh: VGSQ, IDQ, VDS
b. Viết phương trình, vẽ đồ thị đường tải tĩnh Hình 4.5 3
Câu 16: Cho mạch như hình 4.6.
Trong đó có ID(on) = 3mA, VGS(on) = 10V, VGS(Th) = 5V; RS = 0.82kΩ, RD =
3kΩ, R1 = 22MΩ, R2 = 18MΩ, VDD = 40V.
a. Tính các thông số phân cực tĩnh: VGSQ, IDQ, VDS
b. Viết phương trình, vẽ đồ thị đường tải tĩnh. Hình 4.6 4