Điện tử công suất | Tài liệu tham khảo môn Công nghệ kĩ thuật Ô tô Trường đại học sư phạm kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh

1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N. Chất bán dẫn: Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện; Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương; Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm. Phân cực ngược. Phân cực thuận. Tài liệu giúp bạn tham khảo, ôn tập và đạt kết quả cao. Mời bạn đọc đón xem!

Thông tin:
196 trang 4 tháng trước

Bình luận

Vui lòng đăng nhập hoặc đăng ký để gửi bình luận.

Điện tử công suất | Tài liệu tham khảo môn Công nghệ kĩ thuật Ô tô Trường đại học sư phạm kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh

1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N. Chất bán dẫn: Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện; Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương; Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm. Phân cực ngược. Phân cực thuận. Tài liệu giúp bạn tham khảo, ôn tập và đạt kết quả cao. Mời bạn đọc đón xem!

66 33 lượt tải Tải xuống
Đ IN T CÔNG SU T
Tài liu tham kho
Đin t công sut – Lê Văn Doanh
Giáo trình n tđi công su n Vt – Nguy ăn Nh
Đin t công sut – Nguyn Bính
dqvinh@dng.vnn.vn
0903 586 586
CHƯƠNG 1
M ĐẦU – CÁC LINH KIN Đ I N T CÔNG SU T
1.1 Khái nim chung
Đin t Công sut
ln
Các linh kin ng đin t công sut được s d
trong các mch động lc – công sut ln
S khác nhau gia các linh kin đin t ng dng
(đin t điu khin) và đin t công sut
Công sut: nh ln
Chc nă đ ng: đi u khin – óng c t dòng đi n công su t ln
I
B
I
C
Th i đi m
Công sut
Động lc
Điu khin
Các linh kin đin t
công sut ch làm
chc năng đóng ct
dòng đin – các van
Transistor điu khin: Khuyếch đại
Transistor công su nt: đóng ct dòng đi
B
I
C
U
R
ab
A
A
U
CE
= U - RI
C
U
CE
= U
CE1
U
CE1
U
I
B2
> I
B1
I
B1
> 0
I
B
= 0
U
BE
< 0
U
CE
I
B2
I
B
R
U
u
CE
C
i
B
B
u
BE
E
i
E
i
C
Đặc tính Volt – Ampe ca van công sut lý tưởng
i
u
đ iu khi n
u
i
ac
b
d
Đối tượng nghiên cu ca đ i n t công su t
Các b biế n đổi công su t
Các b khóa đ in t công su t ln
Chnh lưu
BBĐ đin áp
mt chiu
(BĐXA)
• BBĐ đin áp
xoay chiu (BĐAX)
Biế n t n
1. 2. Các linh kin đ i n t công sut
1.2.1 Cht bán dn - Lp tiếp giáp P - N
Cht bán dn:
nhi đ đt độ bình thường có độ d n đi n nm gia ch t dn i n và ch t cách in
Loi P: phn t mang ng – mang đin là l tr đin tích dương
Loi N: phn t mang đin là các electron – mang đ i n tích âm
+
+
+
+
+
+
+
+
-- -+
-- -
-- -
P N
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
--- -+
--- -
--- -
P N
J
Phân cc ngược
+
+
+
+
+
+
+
+
-- -+
-- -
-- -
Min bão hòa
- Cách đi n
P
N
+
-
+
+
+
-
-
-
Min bão hòa - Cách đi n
P
N
+
-
Phân cc thun
+
+
+
+
+
+
+
+
-- -+
-- -
-- -
Min bão hòa
- Cách đi n
P
N
-
+
-
+
i
1.2.2 Diode
Cu to, hot động
R: reverse – ngược
F: forward – thun
N
P
Katode
KA
Anode
i
R
u
R
i
F
u
F
KA
Hướng ngược
Hướng thun
Đặc tính V – A
Diode lý tưởng
u
i
Nhánh thun – m
Nhánh ngược
óngđ
Diode thc tế
U
TO
: đin áp rơi trên diode
đ i n tr thun trong diode
F
F
F
dI
dU
r =
đ i n tr ngược trong diode
R
R
R
dU
r
dI
=
U
BR
: đin áp đánh thng
Hai trng thái: m đóng
U
[BR]
I
R
[mA]
U
F
[V]
U
R
[V]
1
1,5
800 400
0
50
100
30
20
U
RRM
T
j
= 30 C
o
o
T
j
= 160 C
I
F
[A]
U
RSM
Nhánh thun – m
Nhánh ngược
óngđ
Đặc tính động ca diode
U
K
: Đ i n áp chuyn m ch
t
rr
: Thi gian ph ă đc hi kh n ng óng
i
rr
: Dòng n mđ in chuy ch – ph c h i
=
rr
t
rrr
dtiQ
0
: đin tích chuyn mch
Quá áp trong
L
+
U
K
-
S
I
i
F
i
rr
i
R
i
F
Ðóng S
t
rr
0,1 i
rrM
i
rrM
i
R
i
F
= I
t
O
i
rr
Q
r
t
u
R
u
F
U
k
u
RM
u
R
= U
k
O
Bo v chng quá áp trong
R C
L
u
R
V
U
k
i
rr
i
L
i
RC
-
+
V
O
t
i
rr
i
RC
O
U
k
t
M Đóng
L
R k
di
u U L
dt
=
RCrrL
iii
+
=
Các thông s a diode chính c
Đin áp:
Giá tr đ đ i n áp ánh th ng U
BR
Giá tr cc đại đi n áp ngược l p li:
U
RRM
Giá tr cc đại đi n áp ngược không l p
li: U
RSM
Dòng đin - nhit độ làm vi c
Giá tr trung bình cc đại dòng đin
thun: I
F(AV)M
Giá tr cc đại dòng đin thun không
lp li: I
FSM
U
[BR]
I
R
[mA]
U
F
[V]U
R
[V]
1
1,5
800 400
0
50
100
30
20
U
RRM
T
j
= 30 C
o
o
T
j
= 160 C
I
F
[A]
U
RSM
Nhánh thun – m
Nhánh ngược
óngđ
Diode thc tế: IDB30E60 – Infineon Technologies
1.2.3 Transistor lưỡng cc (BT)
Cu to, hot động
R
U
u
CE
C
i
B
B
u
BE
E
i
E
i
C
R
U
u
EC
C
i
B
B
u
EB
E
i
E
i
C
N
N
P
B
C
E
P
P
N
B
C
E
(Bipolar Transistor)
Đặc tính Volt – Ampe
Min m bão hòa
Min đóng bão hòa
M
Đóng
Đặc tính ngoài I
C
= f(U
CE
)
Đặc tính điu khin I
C
= f(I
B
)
B
I
C
U
R
ab
A
A
U
CE
= U - RI
C
U
CE
= U
CE1
U
CE1
U
I
B2
> I
B1
I
B1
> 0
I
B
= 0
U
BE
< 0
U
CE
I
B2
I
B
I
CE
I
CE0
I
CER
I
CES
I
CEU
U
CE0
U
CE
U
BR(CEU)
U
BR(CES)
U
BR(CER)
U
BR(CE0)
I
B
= 0
U
CER
U
CES
U
CEU
R
B
-I
B
U
BE
+
-
R
B
-I
B
U
BE
+
-
+
-
I
CEU
b)
c)
a)
O
0 … H mch B – E (I
B
= 0)
R … Mch B – E theo hình b)
S … Ng n m ch B – E (R
B
0)
U … Mch B – E theo hình c)
Quá trình quá độ ca transistor
i
B
I
B
0.9I
B
O
t
0.1I
B
0.1I
C
u
CE
t
d
t
r
i
C
t
s
t
off
t
on
O
t
f
0.9I
C
I
C
0.1I
C
Mch tr giúp đóng m
(Đin t công sut – Nguyn Bính)
Các thông s chính
Đin áp:
Giá tr cc đại đin áp
colector – emitor U
CE0M
khi
I
B
= 0
Giá tr cc đại đin áp
emitor – bazơ U
EB0M
khi I
C
= 0
Dòng đin: Giá tr cc đại
ca các dòng đin I
C
, I
B
, I
E
| 1/196

Preview text:

ĐIN TCÔNG S U T
Tài liu tham kho
• Điện tử công suất – Lê Văn Doanh
• Giáo trình điện tử công suất – Nguyễn Văn Nhờ
• Điện tử công suất – Nguyễn Bính dqvinh@dng.vnn.vn 0903 586 586 CHƯƠNG 1
M ĐẦU – CÁC LINH KIN ĐIN TCÔNG S U T
1.1 Khái nim chung
Điện tử Công suất lớn
Các linh kiện điện tử công suất được sử dụng
trong các mạch động lực – công suất lớn
Sự khác nhau giữa các linh kiện điện tử ứng dụng
(điện tử điều khiển) và điện tử công suất
• Công suất: nhỏ – lớn
• Chức năng: điều khiển – đ
óng cắt dòng điện công s ấ u t lớn
Các linh kin đin tử Điều khiển Động lực
công sut chlàm
ch
c năng đóng ct I
dòng đin – các van C IB • Thời điểm • Công suất
Transistor điều khiển: Khuyếch đại IC R U = U CE CE1 B U iC R b a U C iB UCE = U - RIC I > I B2 B1 A uCE B A IB1 > 0 E IB = 0 u iE BE I U U B2 CE1 I U B BE < 0 UCE
Transistor công suất: đóng cắt dòng điện
Đặc tính Volt – Ampe ca van công sut lý tưởng i i b c a điều kh ể i n u d u
Đối tượng nghiên cu ca đin tcông sut
• Các bộ biến đổi công suất
• Các bộ khóa điện tử công s ấ u t lớn Chỉnh lưu • BBĐ điện áp BBĐ điện áp xoay chiều (BĐAX) một chiều • Biến tần (BĐXA)
1. 2. Các linh kin đin tcông sut
1.2.1 Cht bán dn - Lp tiếp giáp P - N Chất bán dẫn:
Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách đ iện
Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương
Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm J + + + + - - - - P + + + + - - - - N + + + + - - - - + + + - - - P + + + - - - N + + + - - -
Phân cc ngược P N + + + - - - - + + + + - - - + + + - - - Miền bão hòa - Cách điện P N + - - + + - + -
Miền bão hòa - Cách điện Phân cực thuận P N + + + - - - + - + + + - - - + + + - - - Miền bão hòa - Cách điện + - i 1.2.2 Diode
Cu to, hot động uF iF Hướng thuận Anode Katode P N A K A K iR Hướng ngược uR R: reverse – ngược F: forward – thuận Đặc tính V – A i Diode lý tưởng Nhánh thuận – mở
Hai trạng thái: mở – đóng IF [A] u Nhánh ngược 100 – đóng Diode thực tế Nhánh thuận – mở 50 U UR [V] UF [V] [BR] 800 400 0 1 1,5 Nhánh ngược – đóng o
U : điện áp rơi trên diode TO dU T = 160 C 20 R r = j o R T = 30 C dU j 30 F dI r = R URRM F dI điệ F n trở ngược trong diode I U R [mA] RSM
điện trở thuận trong diode U : điện áp đánh thủng BR
Đặc tính động ca diode I
• U : Điện áp chuyển ạ m ch K L
• t : Thời gian phục hồi khả năng đóng rr U S • i : Dòng điện chu ể y n mạch – phục hồi K rr - + trr Q = i dt S
: điện tích chuyển mạch g n rrr ó Ð 0 i i F F I = trr i F 0,1 irrM O t Quá áp trong i rr iR i i rrM R irr Qr uF t O Uk uR = Uk u u R RM
Bảo vệ chống quá áp trong V R C Mở Đóng t O iRC uR L V irr iRC i O t L U i k rr Uk - + di i = i + i L L rr RC
u = U L R k dt
Các thông schính ca diode I Đ F [A] iện áp: 100
• Giá trị điện áp đánh thủng UBR
• Giá trị cực đại điện áp ngược lập lại: Nhánh thuận – mở URRM 50
• Giá trị cực đại điện áp ngược không lập U U U R [V] F [V] [BR] lại: URSM 800 400 0 1 1,5
Dòng điện - nhiệt độ làm việc Nhánh ngược – đóng o T = 160 C 20 j
• Giá trị trung bình cực đại dòng điện o T = 30 C j 30 thuận: I URRM F(AV)M
• Giá trị cực đại dòng điện thuận không I URSM R [mA] lập lại: IFSM
Diode thc tế: IDB30E60 – Infineon Technologies
1.2.3 Transistor lưỡng cc (BT) (Bipolar Transistor)
Cu to, hot động C C P N B B N P P N E E R R i i C C U U C C i i B B u u CE EC B B E E i u iE u E BE EB
Đặc tính Volt – Ampe Miền mở bão hòa IC U = U CE CE1 B Mở U R b a
• Đặc tính ngoài I = f(U ) U C CE CE = U - RIC IB2 > IB1
• Đặc tính điều khiển I = f(I ) A C B A IB1 > 0 I Đóng B = 0 I U U B2 CE1 I U B BE < 0 UCE Miền đóng bão hòa I a) CE U I BR(CE0) B = 0 ICE0 UBR(CER) ICER UBR(CES) ICES U I BR(CEU) CEU O U U CE0 CES UCE UCER UCEU b) c) RB RB ICEU + - + -I -I B UBE B UBE - + -
• 0 … Hở mạch B – E (I = 0) B
• R … Mạch B – E theo hình b) • S … Ngắn ạ m ch B – E (R →0) B
• U … Mạch B – E theo hình c)
Quá trình quá độ ca transistor iB IB 0.9IB 0.1IB O t td t r ts tf iC uCE 0.1IC 0.9I 0.1I C IC C O ton toff
Mch trgiúp đóng m
Các thông schính Đin áp:
• Giá trị cực đại điện áp colector – emitor U khi CE0M I = 0 B
• Giá trị cực đại điện áp emitor – bazơ U khi I EB0M C = 0
Dòng đin: Giá trị cực đại
của các dòng điện I , I , I C B E
(Điện tử công suất – Nguyễn Bính)