-
Thông tin
-
Quiz
Điện tử công suất | Tài liệu tham khảo môn Công nghệ kĩ thuật Ô tô Trường đại học sư phạm kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh
1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N. Chất bán dẫn: Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện; Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương; Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm. Phân cực ngược. Phân cực thuận. Tài liệu giúp bạn tham khảo, ôn tập và đạt kết quả cao. Mời bạn đọc đón xem!
Công nghệ kĩ thuật oto (OTO21) 155 tài liệu
Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh 3.1 K tài liệu
Điện tử công suất | Tài liệu tham khảo môn Công nghệ kĩ thuật Ô tô Trường đại học sư phạm kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh
1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N. Chất bán dẫn: Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện; Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương; Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm. Phân cực ngược. Phân cực thuận. Tài liệu giúp bạn tham khảo, ôn tập và đạt kết quả cao. Mời bạn đọc đón xem!
Môn: Công nghệ kĩ thuật oto (OTO21) 155 tài liệu
Trường: Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh 3.1 K tài liệu
Thông tin:
Tác giả:




















Tài liệu khác của Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
Preview text:
ĐIỆN TỬ CÔNG S Ấ U T
Tài liệu tham khảo
• Điện tử công suất – Lê Văn Doanh
• Giáo trình điện tử công suất – Nguyễn Văn Nhờ
• Điện tử công suất – Nguyễn Bính dqvinh@dng.vnn.vn 0903 586 586 CHƯƠNG 1
MỞ ĐẦU – CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG S Ấ U T
1.1 Khái niệm chung
Điện tử Công suất lớn
Các linh kiện điện tử công suất được sử dụng
trong các mạch động lực – công suất lớn
Sự khác nhau giữa các linh kiện điện tử ứng dụng
(điện tử điều khiển) và điện tử công suất
• Công suất: nhỏ – lớn
• Chức năng: điều khiển – đ
óng cắt dòng điện công s ấ u t lớn
Các linh kiện điện tử Điều khiển Động lực
công suất chỉ làm
chức năng đóng cắt I
dòng điện – các van C IB • Thời điểm • Công suất
Transistor điều khiển: Khuyếch đại IC R U = U CE CE1 B U iC R b a U C iB UCE = U - RIC I > I B2 B1 A uCE B A IB1 > 0 E IB = 0 u iE BE I U U B2 CE1 I U B BE < 0 UCE
Transistor công suất: đóng cắt dòng điện
Đặc tính Volt – Ampe của van công suất lý tưởng i i b c a điều kh ể i n u d u
Đối tượng nghiên cứu của điện tử công suất
• Các bộ biến đổi công suất
• Các bộ khóa điện tử công s ấ u t lớn Chỉnh lưu • BBĐ điện áp BBĐ điện áp xoay chiều (BĐAX) một chiều • Biến tần (BĐXA)
1. 2. Các linh kiện điện tử công suất
1.2.1 Chất bán dẫn - Lớp tiếp giáp P - N Chất bán dẫn:
Ở nhiệt độ bình thường có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách đ iện
Loại P: phần tử mang điện là lỗ trống – mang điện tích dương
Loại N: phần tử mang điện là các electron – mang điện tích âm J + + + + - - - - P + + + + - - - - N + + + + - - - - + + + - - - P + + + - - - N + + + - - -
Phân cực ngược P N + + + - - - - + + + + - - - + + + - - - Miền bão hòa - Cách điện P N + - - + + - + -
Miền bão hòa - Cách điện Phân cực thuận P N + + + - - - + - + + + - - - + + + - - - Miền bão hòa - Cách điện + - i 1.2.2 Diode
Cấu tạo, hoạt động uF iF Hướng thuận Anode Katode P N A K A K iR Hướng ngược uR R: reverse – ngược F: forward – thuận Đặc tính V – A i Diode lý tưởng Nhánh thuận – mở
Hai trạng thái: mở – đóng IF [A] u Nhánh ngược 100 – đóng Diode thực tế Nhánh thuận – mở 50 U UR [V] UF [V] [BR] 800 400 0 1 1,5 Nhánh ngược – đóng o
U : điện áp rơi trên diode TO dU T = 160 C 20 R r = j o R T = 30 C dU j 30 F dI r = R URRM F dI điệ F n trở ngược trong diode I U R [mA] RSM
điện trở thuận trong diode U : điện áp đánh thủng BR
Đặc tính động của diode I
• U : Điện áp chuyển ạ m ch K L
• t : Thời gian phục hồi khả năng đóng rr U S • i : Dòng điện chu ể y n mạch – phục hồi K rr - + trr Q = i dt S
: điện tích chuyển mạch g n r ∫ rr ó Ð 0 i i F F I = trr i F 0,1 irrM O t Quá áp trong i rr iR i i rrM R irr Qr uF t O Uk uR = Uk u u R RM
Bảo vệ chống quá áp trong V R C Mở Đóng t O iRC uR L V irr iRC i O t L U i k rr Uk - + di i = i + i L L rr RC
u = U − L R k dt
Các thông số chính của diode I Đ F [A] iện áp: 100
• Giá trị điện áp đánh thủng UBR
• Giá trị cực đại điện áp ngược lập lại: Nhánh thuận – mở URRM 50
• Giá trị cực đại điện áp ngược không lập U U U R [V] F [V] [BR] lại: URSM 800 400 0 1 1,5
Dòng điện - nhiệt độ làm việc Nhánh ngược – đóng o T = 160 C 20 j
• Giá trị trung bình cực đại dòng điện o T = 30 C j 30 thuận: I URRM F(AV)M
• Giá trị cực đại dòng điện thuận không I URSM R [mA] lập lại: IFSM
Diode thực tế: IDB30E60 – Infineon Technologies
1.2.3 Transistor lưỡng cực (BT) (Bipolar Transistor)
Cấu tạo, hoạt động C C P N B B N P P N E E R R i i C C U U C C i i B B u u CE EC B B E E i u iE u E BE EB
Đặc tính Volt – Ampe Miền mở bão hòa IC U = U CE CE1 B Mở U R b a
• Đặc tính ngoài I = f(U ) U C CE CE = U - RIC IB2 > IB1
• Đặc tính điều khiển I = f(I ) A C B A IB1 > 0 I Đóng B = 0 I U U B2 CE1 I U B BE < 0 UCE Miền đóng bão hòa I a) CE U I BR(CE0) B = 0 ICE0 UBR(CER) ICER UBR(CES) ICES U I BR(CEU) CEU O U U CE0 CES UCE UCER UCEU b) c) RB RB ICEU + - + -I -I B UBE B UBE - + -
• 0 … Hở mạch B – E (I = 0) B
• R … Mạch B – E theo hình b) • S … Ngắn ạ m ch B – E (R →0) B
• U … Mạch B – E theo hình c)
Quá trình quá độ của transistor iB IB 0.9IB 0.1IB O t td t r ts tf iC uCE 0.1IC 0.9I 0.1I C IC C O ton toff
Mạch trợ giúp đóng mở
Các thông số chính Điện áp:
• Giá trị cực đại điện áp colector – emitor U khi CE0M I = 0 B
• Giá trị cực đại điện áp emitor – bazơ U khi I EB0M C = 0
Dòng điện: Giá trị cực đại
của các dòng điện I , I , I C B E
(Điện tử công suất – Nguyễn Bính)