10/3/2023
1
GV. Trn Quý Hu
Email: tranquyhuu@iuh.edu.vn
Sdt/Fb/Zalo: 0917751379
E-Learning: Trn Qúy Hu
ocw.fet.iuh.edu.vn
ĐỀ CƯƠNG HC PHN
Name: Mch đin t nâng cao (2102570)
(Electronic circuits: Discrete and Integrated)
Mã hc phn: 420300340003
S tín ch: 2(2,0,4)
Tng s tín ch: 2 Lý thuyết: 2 T hc: 4
Kim tra, đánh giá: Bài tp (E-Learning) – Kim tra gia k
Kim tra cui k.
10/3/2023
Mc tiêu ca hc phn
Sau khi hc xong môn này, sinh viên có kh năng:
o Xác định được hàm truyn, v được đáp ng tn s thp, tn
s cao ca các mch khuếch đại và mch lc tương t.
o Gii thích được nh hưởng ca hi tiếp ti mch khuếch đại.
o Tính toán và thiết kế được các loi mch khuếch đại, mch
lc và mch dao động.
10/3/2023
t vntthcphn
o Môn hc cung cp cho sinh viên các kiếnthcvềđáp ng
tns thp, tns cao cacácmch khuếch đại; mch
khuếch đạicng hưởng ng dng; các loimch lc
tương t;cáck thuthitiếpvàmch dao động.
10/3/2023
Hc phn hc trước (A), tiên quyết (B), song hành (C)
o Môn hc trước: Mch đin t (2102575)
1 2
3 4
10/3/2023
2
Ni quy hc trc tuyến:
o Vào hc đúng gi.
o Tt MIC và ch m khi trao đổi.
o M CAM và ch tt khi gii lao.
o Tp trung sut tiến trình hc tp.
o Bm nút giơ tay, hoc m MIC khi phát biu.
o Tương tác tích cc, hòa nhã, thân thin
o Ưu tiên hc trên máy tính (nếu được).
10/3/2023 10/3/2023
Bài tpThigianNi dungChưng
1012Đáp ng tns camch khuếch đại1
106Mch khuếch đại cng hưởng2
106Mch lc tương t3
106K thuthitiếp dao động4
4030Tng
[1] Behzad Razavi: Fundamntals of Microlctronics,
1
st
Edition, 2008.
2 D.L. Schilling, Charles Belove : Elctronic Circuits:
Discrt and Intgratd , Mc Graw-Hill Inc, 1968, 1992,
3 Robert Boylestad, Louis Nashelsky, Elctronic Dvics
and Circuit Thory, Prentice Hall, 2008.
4 Lê Tiến Thường, Giáo trình mch đin t 2, ĐH Bách
Khoa Tp.HCM, 2009
5 Lê Tiến Thường, Tuyn tp bài tp mch đin t
tưng t,N.X.B. ĐHQGTPHCM, 2011.
6 Bài ging mch đin t 2: Giáo trình HUI-2008
NI DUNG:
Đáp ng tn s thp ca mch khuếch đại ghép
RC
Đáp ng tn s cao ca mch khuếch đại ghép RC
Mch khuếch đại cng hưởng
Mch lc tưng t
Mch khuếch đại công sut audio
K thut dao động và to dng tín hiu
5 6
7 8
10/3/2023
3
Chưng 2: Mch khuếch đạicng hưởng
2.1. Gii thiu v mch khuếch đại cng hưởng
2.2. Mch khuếch đại cng hưởng đơn
2.3. Mch khuếch đại cng hưởng ghép biến áp
2.4. Mch khuếch đại cng hưởng ni tiếp
Gii thiu v mch khuếch đại cng hưởng
Khái nim:
Cng hưởng là điu kin trong mch RLC trong đó
thành phn cm kháng và dung kháng bng nhau v
biên độ, vì vy to ra tr kháng thun tr trong mch.
Cng hưởng xy ra trong mch cha ít nht mt
cun dây và mt t đin.
Mch khuếch đại cng hưởng đn
Cho sơđmch:
Sơđmch tương đương:
RL<<RcC = C’ + C
b’e
+ C
b’c
(1 + g
m
R
L
)
C = C’ + C
b’e
+ C
b’c
(1 + g
m
R
L
)
Mch khuếch đại cng hưởng đn
9 10
11 12
10/3/2023
4
Hàm truyn:
Vi:
Q
i
=
0
RC
Hàm truyn:
Vi
Biu đồ Bode:
Băng thông:
Tích s độ li và băng thông:
Mch khuếch đại cng hưởng đn
d:Chomch cng hưởng biếtr
b’
=1k,r
bb’
=0,
h
f
=100, f
T
=500 MHz, C
b’c
=2 pF.
a) Tìm L để mch cng hưởng tns 30 Mhz
b) Tính băng thông
c) Tính độ li dòng
Mch khuếch đại cng hưởng đn
13 14
15 16
10/3/2023
5
Mch tưng đưng ca BJT tn s cao (EC)
Mch khuếch đạicng hưởng đn
Thông s 1/hoe có giá tr rt ln t vài chc đến hàng trăm kΩ.
Thông s 𝑟
bb’
đin tr nn ca đin cc B, thường rt bé t
vài Ohm đến vài chc Ohm.
Thông thường trong phân tích mch cao tn, ta b qua thông
s hoe 𝑟
bb’
.
Mch tưng đưng ca BJT tn s cao (EC)
Trong đó: C
b’e
t sinh calptiếpgiápBE,C
b’c
t sinh calptiếpgiápBC,h
oe
tr dnngõ
ra caccCE,r
bb’
đintr lptiếpgiápBE.Các
thông s này đượcchobinhàsnxut.
Thông thường C
b’e
>> C
b’c
(100<C
b’e
<5000pF).
Mch khuếch đạicng hưởng đn
Tns ct:
Tn s gii hn ca transistor:
Mch khuếch đại cng hưởng đn
Đin dung Miller:
R’
L
: tr kháng ngõ ra
Kết hp vi lý thuyết Miller:
17 18
19 20
10/3/2023
6
Ví d: Cho mch cng hưởng biết r
b’
= 1k, r
b’b
=0,
h
f
=100, f
T
=500 MHz, C
b’c
=2 pF.
a) Tìm L để mch cng hưởng tn s 30 Mhz
b) Tính băng thông
c) Tính độ li dòng
Mch khuếch đạicng hưởng đn
Gii:
Vi:
Hàm truyn:
21 22
23 24
10/3/2023
7
Q
i
=
0
RC
Vi
Mch khuếch đạicng hưởng đn
Biu đồ Bode:
Băng thông:
Tích s độ li và băng thông:
Mch khuếch đại cng hưởng đn
a)
b)
c)
Bài tp 1: Phân tích đáp ng tn s cao ca mch khuếch đại
BJT như hình v dưới. Biết Transistor có h
fe
=100,
, C
b’c
=10 pF, Ri=1 K, R
L
=R
C
=2 K, R
B
=430 K,
R
E
=1K,R
BB’
=0 V
CC
=+20V, V
T
=25 mV, V
BE
=0.7 V, m=1. Các t
C
i
=C
0
=10 µF, C
E
=20 µF xem như ni tt (bypass) tn s cao.
Thc hin các yêu cu sau đây:
25 26
27 28
10/3/2023
8
(T bài làm sinh viên rút ra 2 ý sau:
- Xác định các thông s đầu vào/ra bài toán thiết kế.
- V sơ đồ mch đin t, tính toán các giá tr linh kin.
a) Tìm đim phân cc tĩnh Q.
b) V mch tương đương tín hiu nh tn s cao cho mch.
c) Thiết lp biu thc hàm truyn A
i
ca mch.
d) V biu đồ Bode cho biên độ ca A
i
(dB)
e) S dng cutrúcmch khuếch đại trên. Cho khung cng
hưởng như hình. Cho C=100 nF. Thiếtkế L để tns cng hưởng
camch khuếch đạicng hưởng bng 50 MHz.
a) Tìm đim phân cc tĩnh Q.
b) V mch tương đương tín hiu nh tn s cao cho mch.
b) V mch tương đương tín hiunh tns cao cho mch.
c) Thiết lp biu thc hàm truyn A
i
ca mch.
29 30
31 32
10/3/2023
9
d) V biu đồ Bode cho biên độ caA
i
(dB) e) Tính L
- Đầu vào: mch khuếch đại đã cho, khung cng hưởng, f=50
Mhz.
- Đầu ra: L.
Bài tp 2:
Phân tích đáp ng tns cao cho mch khuếch đạinhư hình dưới. Biếtmch
V
DD
=25 V, r
i
=50Ω,R
1
=R
2
=5.2KΩ,Rs=200Ω,R
L
=R
D
=2.2.KΩ.
eMosFET được phân cctig
m
= 5 × 10^(-3) (1/om), rds = 60 KΩ,C
gd
=1.6
pF, C
gs
=10.2pF.Cáct Cg = Cd = 0.47µF, Cs = 4.7µF xem như nitt
(bypass) tns làm vic. Thchincácyêucusauđây:
a. V sơđtương đương tín hiunh tns cao cho mch khuếch đại.
b. Xác định biuthc hàm truynh s khuếch đại áp Av=vo/vi camch.
c. V biu đồ Bode cho ph biên độ hàm truynAv.
d. Thiết kế mch khuếch đại cng hưởng ti tn s 30MHz. Biết
rng yêu cu thiết kế thc hin 2 bước sau:
- Xác định các thông s đầu vào/ra ca bài toán thiết kế.
- V sơ đồ nguyên lý mch, xác định các giá tr linh kin.
33 34
35 36
10/3/2023
10
a) V mch tương đương tín hiu nh tn s cao cho mch:
Ta có:
a) V mch tương đương tín hiu nh tn s cao cho mch:
Ta có:
Đặt:
C = C
gs
+ C
M
= 20.4 pF
a. Thiết lp biu thc hàm truyn A
v
:
Ta có:
a. Thiết lp biu thc hàm truyn A
v
:
Ta có:
37 38
39 40
10/3/2023
11
a. Thiết lp biu thc hàm truyn A
v
:
Đặt:
Suy ra:
d) V biu đồ Bod cho biên độ
Xác định các thông s đầu vào/ra ca bài toán thiết kế.
Chn mô hình mch khuếch đại cng hưởng đơn dùng MOSFET
- Mch phân cc DC trên vi C = 20.4pF.
- Xác định các thông s khung cng hưởng L và C’ sao cho mch
khuếch đại cng hưởng ti tn s dao động ti 30MHz.
41 42
43 44
10/3/2023
12
V sơ đồ nguyên lý mch, xác định các giá tr linh kin
a) V mch tương đương tín hiu nh tn s cao cho mch:
Ta có:
Đặt:
C = C
gs
+ C
M
= 20.4 pF
V sơ đồ nguyên lý mch, xác định các giá tr linh kin
- Tính L và C’
Ta có tn s cng hưởng ti,
Chngiátr L, ta suy ra C
*
Mà C
*
= C + C’ => C’
Xét mch:
Mch khuếch đại cng hưởng ghép biến áp
45 46
47 48
10/3/2023
13
Sơ đồ mch tương đương:
T s biến áp:
T s biến áp:
Hàm truyn:
49 50
51 52
10/3/2023
14
Băng thông:
Tích s độ li và băng thông:
Ví d:
Cho mch khuếch đại cng hưởng có tn s cng
hưởng fo=455 kHz, băng thông là 10MHz, L’=6.9 uH,
rb’e=Rb’=1k, ri=5 k, Rp=2k, Cb’e=1000 pF, gm=0.1
S, RL=500 , Cb’c=4pF.
a) Tìm t s biến áp a.
b) Tìm độ li dòng đin tn s dãy gia (midfrequency).
Gii:
(Do a 1)
53 54
55 56
10/3/2023
15
Mch khuếch đại cng hưởng ni tiếp
Xét mch:
Sơ đồ mch tương đương:
Mch khuếch đại cng hưởng cascod
Xét mch:
57 58
59 60
10/3/2023
16
Sơ đồ mch tương đương:
61 62
63 64
10/3/2023
17
Hàm truyn:
Tích s độ li và băng thông:
Bài tp: Phân tích đáp ng tns cao camch khuếch đại
BJT như hình v dưới. Biết Transistor có h
fe
=100, f
T
=500Mhz,
C
b’c
=4 pF, Ri=20, R
1
= R
L
=R
C
=1K, R
2
=5K, R
E
=100,
V
CC
=+5V. Các t C
B
=C
C
=0.33µF, C
E
=3.3µF xem như nitt
(bypass) tns cao. Thchincácyêucusauđây:
a) V mch tương đương tín hiunh tns cao cho mch.
b) Thiếtlpbiuthc hàm truynA
v
camch.
c) V biu đ Bode cho biên độ caA
v
(dB)
d) Xác định tns cttrêncamch f
H
.
65 66
67 68
10/3/2023
18
Bài tp: Cho mch khuếch đại cng hưởng như hình bên dưới
a) Tìm L để mch cng hưởng ti 30Mhz.
b) Tìm băng thông mch khuếch đại.
c) Tính độ li dòng biết
69

Preview text:

10/3/2023
ĐỀ CƯƠNG HỌC PHẦN
Name: Mạch điện tử nâng cao (2102570)
(Electronic circuits: Discrete and Integrated) Mã học phần: 420300340003 Số tín chỉ: 2(2,0,4)
Tổng số tín chỉ: 2 Lý thuyết: 2 Tự học: 4
Kiểm tra, đánh giá: Bài tập (E-Learning) – Kiểm tra giữa kỳ – GV. Trần Quý Hữu Email: tranquyhuu@iuh.edu.vn Kiểm tra cuối kỳ. Sdt/Fb/Zalo: 0917751379 E-Learning: Trần Qúy Hữu 10/3/2023 ocw.fet.iuh.edu.vn 1 2
Mục tiêu của học phần
Mô tả vắn tắt học phần
o Môn học cung cấp cho sinh viên các kiến thức về đáp ứng
Sau khi học xong môn này, sinh viên có khả năng:
tần số thấp, tần số cao của các mạch khuếch đại; mạch
khuếch đại cộng hưởng và ứng dụng; các loại mạch lọc
o Xác định được hàm truyền, vẽ được đáp ứng tần số thấp, tần
tương tự; các kỹ thuật hồi tiếp và mạch dao động.
số cao của các mạch khuếch đại và mạch lọc tương tự.
Học phần học trước (A), tiên quyết (B), song hành (C)
o Giải thích được ảnh hưởng của hồi tiếp tới mạch khuếch đại.
o Môn học trước: Mạch điện tử (2102575)
o Tính toán và thiết kế được các loại mạch khuếch đại, mạch lọc và mạch dao động. 10/3/2023 10/3/2023 3 4 1 10/3/2023
Nội quy học trực tuyến: Chư ng Nội dung Thời gian Bài tập o Vào học đúng giờ. 1
Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại 12 10
o Tắt MIC và chỉ mở khi trao đổi. 2
Mạch khuếch đại cộng hưởng 6 10 3 Mạch lọc tương tự 6 10
o Mở CAM và chỉ tắt khi giải lao. 4
Kỹ thuật hồi tiếp và dao động 6 10
o Tập trung suốt tiến trình học tập. Tổng 30 40
o Bấm nút giơ tay, hoặc mở MIC khi phát biểu.
o Tương tác tích cực, hòa nhã, thân thiện
o Ưu tiên học trên máy tính (nếu được). 10/3/2023 10/3/2023 5 6
[1] Behzad Razavi: Fundam ntals of Micro l ctronics, 1st Edition, 2008.
2 D.L. Schilling, Charles Belove : El ctronic Circuits:
Discr t and Int grat d , Mc Graw-Hill Inc, 1968, 1992,
3 Robert Boylestad, Louis Nashelsky, El ctronic D vic s
and Circuit Th ory, Prentice Hall, 2008. NỘI DUNG:
4 Lê Tiến Thường, Giáo trình mạch điện tử 2, ĐH Bách Khoa Tp.HCM, 2009
Đáp ứng tần số thấp của mạch khuếch đại ghép
5 Lê Tiến Thường, Tuyển tập bài tập mạch điện tử RC
tư ng tự,N.X.B. ĐHQGTPHCM, 2011.
Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC
6 Bài giảng mạch điện tử 2: Giáo trình HUI-2008
Mạch khuếch đại cộng hưởng Mạch lọc tư ng tự
Mạch khuếch đại công suất audio
Kỹ thuật dao động và tạo dạng tín hiệu
7 8 2 10/3/2023
Chư ng 2: Mạch khuếch đại cộng hưởng
Giới thiệu về mạch khuếch đại cộng hưởng
2.1. Giới thiệu về mạch khuếch đại cộng hưởng  Khái niệm:
2.2. Mạch khuếch đại cộng hưởng đơn
Cộng hưởng là điều kiện trong mạch RLC trong đó
thành phần cảm kháng và dung kháng bằng nhau về
2.3. Mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp
biên độ, vì vậy tạo ra trở kháng thuần trở trong mạch.
2.4. Mạch khuếch đại cộng hưởng nối tiếp
 Cộng hưởng xảy ra trong mạch chứa ít nhất một
cuộn dây và một tụ điện. 9 10
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n  Cho sơ đồ mạch:
 Sơ đồ mạch tương đương:
C = C’ + Cb’e + Cb’c(1 + gmRL) C = C’ + C RL<b’e + Cb’c(1 + gmRL) 11 12 3 10/3/2023  Hàm truyền:  Hàm truyền: Qi = 0RC Với: Với 13 14
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n  Biểu đồ Bode:
Ví dụ: Cho mạch cộng hưởng biết rb’ = 1kΩ, rbb’=0,
hf =100, fT=500 MHz, Cb’c=2 pF.
a) Tìm L để mạch cộng hưởng ở tần số 30 Mhz
b) Tính băng thông
c) Tính độ lợi dòng  Băng thông:
 Tích số độ lợi và băng thông: 15 16 4 10/3/2023
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Mạch tư ng đư ng của BJT ở tần số cao (EC)
Mạch tư ng đư ng của BJT ở tần số cao (EC)
Thông số 1/hoe có giá trị rất lớn từ vài chục đến hàng trăm kΩ.
Trong đó: Cb’e là tụ ký sinh của lớp tiếp giáp BE, Cb’c
Thông số 𝑟 là điện trở nền của điện cực B, thường rất bé từ
là tụ ký sinh của lớp tiếp giáp BC, h bb’ oe là trở dẫn ngõ
vài Ohm đến vài chục Ohm.
ra của cực CE, rbb’ là điện trở lớp tiếp giáp BE. Các
thông số này được cho bởi nhà sản xuất.
Thông thường trong phân tích mạch cao tần, ta bỏ qua thông số hoe và 𝑟 .
Thông thường Cb’e >> Cb’c (100bb’ 17 18
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Kết hợp với lý thuyết Miller: Tần số cắt: Điện dung Miller:
Tần số giới hạn của transistor: R’L: trở kháng ngõ ra 19 20 5 10/3/2023
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Ví dụ: Cho mạch cộng hưởng biết rb’ = 1kΩ, rb’b=0, Giải:
hf =100, fT=500 MHz, Cb’c=2 pF.
a) Tìm L để mạch cộng hưởng ở tần số 30 Mhz
b) Tính băng thông
c) Tính độ lợi dòng 21 22  Hàm truyền: Với: 23 24 6 10/3/2023
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n
Mạch khuếch đại cộng hưởng đ n  Biểu đồ Bode: Qi = 0RC  Băng thông: Với
 Tích số độ lợi và băng thông: 25 26 Bài tập 1: a)
Phân tích đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại
BJT như hình vẽ dưới. Biết Transistor có hfe=100,
, Cb’c =10 pF, Ri=1 KΩ, RL=RC =2 KΩ, RB=430 KΩ, b)
RE=1KΩ,RBB’=0 Ω VCC=+20V, VT=25 mV, VBE=0.7 V, m=1. Các tụ
Ci=C0=10 µF, CE=20 µF xem như nối tắt (bypass) ở tần số cao.
Thực hiện các yêu cầu sau đây: c) 27 28 7 10/3/2023
a) Tìm điểm phân cực tĩnh Q.
a) Tìm điểm phân cực tĩnh Q.
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch.
c) Thiết lập biểu thức hàm truyền Ai của mạch.
d) Vẽ biểu đồ Bode cho biên độ của Ai(dB)
e) Sử dụng cấu trúc mạch khuếch đại trên. Cho khung cộng
hưởng như hình. Cho C=100 nF. Thiết kế L để tần số cộng hưởng
của mạch khuếch đại cộng hưởng bằng 50 MHz.
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch.
(Từ bài làm sinh viên rút ra 2 ý sau:
- Xác định các thông số đầu vào/ra bài toán thiết kế.
- Vẽ sơ đồ mạch điện tử, tính toán các giá trị linh kiện. 29 30
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch.
c) Thiết lập biểu thức hàm truyền Ai của mạch. 31 32 8 10/3/2023
d) Vẽ biểu đồ Bode cho biên độ của Ai(dB) e) Tính L
- Đầu vào: mạch khuếch đại đã cho, khung cộng hưởng, f=50 Mhz. - Đầu ra: L. 33 34  Bài tập 2:
Phân tích đáp ứng tần số cao cho mạch khuếch đại như hình dưới. Biết mạch
d. Thiết kế mạch khuếch đại cộng hưởng tại tần số 30MHz. Biết
có VDD =25 V, ri = 50Ω, R1 = R2 = 5.2 KΩ, Rs = 200 Ω, RL = RD = 2.2. KΩ.
rằng yêu cầu thiết kế thực hiện 2 bước sau:
eMosFET được phân cực tại gm= 5 × 10^(-3) (1/oℎm), rds = 60 KΩ, Cgd = 1.6
pF, Cgs = 10.2 pF. Các tụ Cg = Cd = 0.47µF, Cs = 4.7µF xem như nối tắt
- Xác định các thông số đầu vào/ra của bài toán thiết kế.
(bypass) ở tần số làm việc. Thực hiện các yêu cầu sau đây:
a. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch khuếch đại.
b. Xác định biểu thức hàm truyền hệ số khuếch đại áp Av=vo/vi của mạch.
- Vẽ sơ đồ nguyên lý mạch, xác định các giá trị linh kiện.
c. Vẽ biểu đồ Bode cho phổ biên độ hàm truyền Av. 35 36 9 10/3/2023
a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch:
a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch: Ta có: Ta có: Đặt: C = Cgs + CM = 20.4 pF 37 38
a. Thiết lập biểu thức hàm truyền Av:
a. Thiết lập biểu thức hàm truyền Av: Ta có: Ta có: 39 40 10 10/3/2023
a. Thiết lập biểu thức hàm truyền Av:
d) Vẽ biểu đồ Bod cho biên độ Đặt: Suy ra: 41 42
 Xác định các thông số đầu vào/ra của bài toán thiết kế.
Chọn mô hình mạch khuếch đại cộng hưởng đơn dùng MOSFET
- Mạch phân cực DC ở trên với C = 20.4pF.
- Xác định các thông số khung cộng hưởng L và C’ sao cho mạch
khuếch đại cộng hưởng tại tần số dao động tại 30MHz. 43 44 11 10/3/2023
 Vẽ sơ đồ nguyên lý mạch, xác định các giá trị linh kiện
a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch: Ta có: Đặt: C = Cgs + CM = 20.4 pF 45 46
Mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp
 Vẽ sơ đồ nguyên lý mạch, xác định các giá trị linh kiện  Xét mạch: - Tính L và C’
Ta có tần số cộng hưởng tại,
Chọn giá trị L, ta suy ra C* Mà C* = C + C’ => C’ 47 48 12 10/3/2023
 Sơ đồ mạch tương đương:  Tỷ số biến áp: 49 50  Hàm truyền:  Tỷ số biến áp: 51 52 13 10/3/2023 Ví dụ:
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng có tần số cộng
hưởng fo=455 kHz, băng thông là 10MHz, L’=6.9 uH,
rb’e=Rb’=1kΩ, ri=5 kΩ, Rp=2kΩ, Cb’e=1000 pF, gm=0.1 S, RL=500 Ω, Cb’c=4pF.  Băng thông:
a) Tìm tỉ số biến áp a.
b) Tìm độ lợi dòng điện tần số dãy giữa (midfrequency).
 Tích số độ lợi và băng thông: 53 54 Giải: (Do a≤ 1) 55 56 14 10/3/2023
Mạch khuếch đại cộng hưởng nối tiếp  Xét mạch:
 Sơ đồ mạch tương đương: 57 58
Mạch khuếch đại cộng hưởng cascod  Xét mạch: 59 60 15 10/3/2023
 Sơ đồ mạch tương đương: 61 62 63 64 16 10/3/2023  Hàm truyền: 65 66
Bài tập: Phân tích đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại
BJT như hình vẽ dưới. Biết Transistor có hfe=100, fT=500Mhz,
Cb’c =4 pF, Ri=20Ω, R1= RL=RC =1KΩ, R2=5KΩ, RE=100Ω,
VCC=+5V. Các tụ CB=CC=0.33µF, CE=3.3µF xem như nối tắt
(bypass) ở tần số cao. Thực hiện các yêu cầu sau đây:
a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch.
b) Thiết lập biểu thức hàm truyền A
 Tích số độ lợi và băng thông: v của mạch.
c) Vẽ biểu đồ Bode cho biên độ của Av(dB)
d) Xác định tần số cắt trên của mạch fH. 67 68 17 10/3/2023
Bài tập: Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như hình bên dưới
a) Tìm L để mạch cộng hưởng tại 30Mhz.
b) Tìm băng thông mạch khuếch đại.
c) Tính độ lợi dòng biết 69 18