Câu hỏi trắc nghiệm Linh kiện điện tử | Đại học Bách Khoa Hà Nội

lOMoARcPSD|51338623
Đáp án - Đáp án trắc nghiệm cấu kiên thầy Lượng
Cấu kiện điện tử (Trường Đại học Bách khoa Hà Nội) Scan to open on Studeersnel
Studocu is not sponsored or endorsed by any college or university
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 DIODE BÁN DẪN
Câu 1: Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận A. Đúng B. Sai
Câu 2: Diode bán dẫn k có cực tính A. Đúng B. Sai
Câu 3: Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất A. Đúng B. Sai
Câu 1: Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode a. PD=UDxID b. PD=UDxRD c. P 2 D=UD xID
d. các phương án đều sai
Câu 2: Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp
a. Lỗi trong quá trình sản xuất
b. Các phương án đều sai
c. Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường
d. Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp
Câu 3: Diode sẽ KHÔNG bị hỏng bởi nguyên nhân nào
a. Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn
b. Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn
c. Dòng điện chạy qua diode quá lớn
d. Không có phương án nào đúng
Câu 4: Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và loại P ghép tx vs
nhaua. Dòng trôi của hạt dẫn và ion
b. Dòng điện tử tự do và điện tử hóa trị
c. Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống
d. Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử
Câu 5: Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì a. Điện tử b. Ion dương c. Lỗ trống
d. Không có hạt dẫn nào là đa số
Câu 6: Ý nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều cả diode
a. Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều
b. Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode
c. Là lượng biến thiên nội trợ của diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược
d. Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian
Câu 7: Trong mạch chỉnh lưu một nửa chu kì bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái
phân cực ngược, dòng qua tải là a. Nhỏ hơn 0 b. Lớn hơn 0 c. Bằng 0 d. Đạt cực đại
Câu 8: Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode
a. Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
b. Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)
c. Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế
d. Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến háo từng đoạn (đầy đủ)
Câu 10: Chức năng chính của diode zener a. Ổn dòng b. Ổn áp c. Chỉnh lưu d. Nhân áp
Câu 9-11: Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn
(đầy đủ) khác nhau ở điểm nào a. Nội trở rd
b. Điện áp mở UD0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp) c. Điện áp mở UD0
d. Nội trở rd và điện áp mở UD0
Câu 12: Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi
a. Điện áp ngược tăng lên
b. Điện áp ngược giảm đi
c. Ngừng phân cực cho tiếp xúc
d. Các phương án đưa ra đều sai
Câu 13: Điện thế nhiệt Ur tại nhiệt độ 550C có giá trị xấp xỉ a. 28,3mV b. 25mV c. 26,1nV d. 29,9mV
Câu 14: Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu cần là a. 1 diode b. 2 diode c. 3 diode d. 4 diode
Câu 15: Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải ứng dụng đặc trưng của diode a. Khuếch đại tín hiệu b. Chỉnh lưu nửa chu kì c. Hạn mức điện áp d. Chỉnh lưu cả chu kì
Câu 16: Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:
a. Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
b. Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
c. Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
d. Tất cả các diode đều dẫn thông
Câu 17: Nhiệt độ tăng ảnh hưởng ntn đến hoạt động của diode
a. Dòng ngược bão hòa của diode giảm
b. Điện áp của diode giảm
c. Diode không hoạt động được
d. Dòng điện thuận cực đại tăng
Câu 18: Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ
a. Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều
b. Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều
c. Giảm độ nhấp nhô (gợn) của điện áp ra của các bộ nguồn
d. Lưu trữ năng lượng trong một nửa chu kì và giải phóng trong nửa chu kì còn lại của hình sin
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
Câu 19: Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN khiến
a. Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên
b. Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi
c. Bề rộng vùng nghèo tăng lên
d. Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên
Câu 20: Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:
a. Thu hẹp vào ở cả hai phía
b. Thu hẹp vào ở một phía
c. Mở rộng ra về cả hai phía
d. Mở rộng ra về một phía e. Cơ bản k thay đổi
Câu 21: Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng Si là xấp xỉ a. 0.7V b. 0.3V c. 1.2V d. 1.5V
Câu 22: Trong bán dẫn tạp chất loại P, một lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng
a. Hút lỗ trống lân cận lại gần
b. Đẩy lỗ trống lân cận ra xa
c. Lấy một điện tử ở lk bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mk
d. Lấy 1 điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mk
Câu 23: Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn a. Kích thước nhỏ hơn
b. Có nồng độ pha tạp lớn hơn
c. Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn d. Kích thước lớn hơn e. Loại P f. Loại N
Câu 24: Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kì a. 1 diode b. 2 diode c. 3 diode d. 3 diode
Câu 25: Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao p yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất
a. Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể
b. Giúp dây truyền sx trơn tru, k bị tác động bởi bên ngoài
c. Các phương án đưa ra đều sai
d. Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe ng lđ
Câu 26: Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây đúng
a. Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm
b. Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng
c. Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa
d. Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhanh
Câu 27: Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào cùng N của 1 tiếp giáp PN khiến
a. Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên
b. DÒng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên
c. Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi
d. Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên
Câu 28: Slg diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 2 nửa CK dùng biến áp có điểm giữa
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 a. 1 diode b. 2 diode c. 3 diode d. 3 diode
Câu 30: Gọi RD là nội trở một chiều của diode, UD và ID lần lượt là điện áp giữa hai đầu và
dòng điện chạy qua diode. RD đc tính bằng công thức a. RD=dUD/dID b. RD=UD/ID
c. Các phương án đưa ra đều sai d. RD=PD/ID
Câu 31: Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất a. Kẽm b. Silic c. Chì d. Đồng
Câu 32: Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây đúng
a. Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện
b. Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện
c. Các phương án đưa ra đều sai
d. Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện
Câu 33: Trong mạng tinh thể Si, liên kết giữa hai nguyên tử Si là a. Liên kết đẳng thế
b. Các phương án đưa ra đều sai c. Liên kết đồng đều
d. Liên kết cộng hóa trị
Câu 34: Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện
a. Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tx vs nhau
b. Có dòng điện ngoài chạy qua khỏi bán dẫn
c. Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tx vs nhau
d. Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn
Câu 35: Khi k có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào
a. Các phương án đưa ra đều sai
b. Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống
c. Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triết tiêu lẫn nhau
d. Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên k có dòng điện khuếch tán
Câu 36: Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần đang ở 0 0K, phương án nào SAI
a. Nung nóng khối bán dẫn
b. Không cần làm j vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể
c. Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn
d. Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn
Câu 37: Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi
a. Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng
b. Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng
c. Điện áp ngược đặt lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng
d. Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn
Câu 38: Khi một diode Si phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp thuận bắt đầu vượt quá a. 0,7V b. 0,3V
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 c. 1,2V d. 1,5V
Câu 39: Dòng điện trôi là dòng
a. Của các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ
b. Các phương án đưa ra đều sai
c. Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ
d. Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường
Câu 40: Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode: a. Bằng 0
b. Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp
c. Là dòng ngược bão hòa
d. Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp
e. Là dòng thuận cực lớn làm cho diode hỏng ngay lập tức
f. Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp
Câu 41: Tác dụng của tụ điện mắc // với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu
a. nắn điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều
b. tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi
c. Giảm độ gợn điện áp đầu ra
d. Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của nó
Câu 42: Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode là
a. Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, đánh thủng do nhiệt
b. Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt
c. Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do nhiệt
d. Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do từ
Câu 43: Trong mỗi lk cộng hóa trị, mỗi nguyên tử Si của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho lk chung a. 2 b. 7 c. 8 d. 1
Câu 44: Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode
a. Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)
b. Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)
c. Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế
d. Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến háo từng đoạn (đầy đủ)
Câu 45: Diode có nội trở cao khi phân cực thuận a. Sai b. Đúng
Câu 46: Trong diode, hạt dẫn đa số là a. Lỗ trống
b. Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P c. Điện tử
d. Điện tử bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N
e. Tấ cả các phương án trên
Câu 47: Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây (Trong BTHHH) a. Nhóm III
b. Nhóm III pha với nhóm IV c. Nhóm IV d. Nhóm V e. Nhóm III pha với nhóm V
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 f. Nhóm IV pha với nhóm V
Câu 48: Dòng trôi trong diode là dòng của a. Hạt dẫn thiểu số b. Hạt dẫn đa số c. Điện tử d. Lỗ trống
Câu 49: Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số
lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn
a. Điện tử nhiều hơn lỗ trống
b. Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra
c. Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau
d. Lỗ trống nhiều hơn điện tử
Câu 50: Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng
a. Điện áp thuận cực đại là 4,7V b. Điện áp mở là 4,7V
c. Các phương án đều sai
d. Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V
Câu 51: Cho mạch điện như hình vẽ
E=5V, R=8, rD=1, diode được làm từ Si
Để tính toán các tham số của mạch với sai số không quá 10%
áp dụng sơ đồ tương đương nào của diode là hợp lý nhất
a. Tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ b. Lý tưởng
c. Tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản d. Tần số cao
Câu 52: Đặt điện áp ngược 12V lên mạch điện gồm một diode zener mắc nối tiếp với một
điện trở R. Nếu Uz=3V thì giá trị điện áp đo trên diode zener là A. 12V B. 3V C. 9V D. 6V
Câu 53: Một diode lý tưởng hoạt động giống như a. Một công tắc b. Một dây dẫn c. Một điện trở d. Một tụ điện Câu 54:
Câu 55: Diode zener có đặc điểm quan trọng j khác vs diode thông thường
a. CHo phép dòng điện thuận lớn hơn đi qua, phù hợp với các ứng dụng công suất lớn
b. Có vùng đánh thủng do điện (zener) rất dốc, phù hợp với ứng dụng ổn áp
c. Có dòng ngược bão hòa lớn hơn
d. Có điện áp mở lớn hơn
Câu 56: Đặc tuyến vôn-ampe của một diode KHÔNG phụ thuộc vào:
a. Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo
b. Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc c. Nhiệt độ của diode
d. Bức xạ ion hóa chiều của diode
Câu 57: Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:
a. Tất cả các diode dẫn thông
b. Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
c. Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
d. Có 1 diode dẫn thông, các diode lại đều khóa
Câu 58: Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của a. Ion âm
b. Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại
c. Lỗ trống không di chuyển
d. Điện tử hóa trị nhưng theo chiều ngược lại
Câu 59: Ý nào dưới đây giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode
a. Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian
b. Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển tử pc thuận sang pc ngược
c. Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều
d. Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode
Câu 60: Tại hai điểm trên đường đặc tuyến vôn-ampe của diode, ngta đo được nội trở một
chiều lần lượt là 3.75 ohm (điểm 1) và 200 kohm (điểm 2). Nhận định nào sau đây là hợp lý
nhất về vị trí của hai điểm trên đặc tuyến?
a. Cả hai điểm đến đều ở nhánh phân cực thuận
b. Điểm 1 ở gốc tọa độ, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược
c. Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược
d. Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở vùng đánh thủng
Câu 61: Bán dẫn P có thêm mức năng lượng nào so với bán dẫn thuần
a. Mức năng lượng của vùng hóa trị
b. Mức năng lượng của tạp chất cho
c. Mức năng lượng của tạp chất nhận
d. Mức năng lượng của vùng dẫn
Câu 62: Phát biểu nào sau đây là sai khi so sánh mạch chỉnh lưu 2 nửa CK sử dụng biến áp có
điểm giữa (1) với mạch chỉnh lưu cầu (2)
a. Số lượng diode của (1) ít hơn của (2)
b. Hao hụt điện áp đầu ra của (1) thấp hơn của (2)
c. Điện áp ngược đăt lên diode trong (1) thấp hơn trong (2)
d. Loại biến áp cấp điện cho (1) yêu cầu phức tạp hơn loại cấp cho (2)
Câu 63: Công thức nào dưới đây dùng để tính nội trở xoay chiều của diode a. rd = m x Ur/Is b. rd = UD/ID c. rd = dUD/dID
d. Các phương án đưa ra đều sai
Câu 64: Cho mạch điện gồm 1 nguồn điện cấp cho 1 diode mắc nối tiếp với 1 điện trở R. Gọi
UN là điện áp của nguồn. UD là điện áp mở và rd là nội trở của diode. Sơ đồ tuyến tính hóa
từng đoạn đơn giản của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào
a. UD là đáng kể so với UN và rd là đáng kể so với R
b. UD là đáng kể so với UN và rd là rất nhỏ so với R
c. UD là rất nhỏ so với UN và rd là đáng kể so với R
d. UD là rất nhỏ so với UN và rd là rất nhỏ so với R
Câu 65: Mạch điện trong hình vẽ là mạch
a. Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu song song
b. Hạn chế mức trên -E mắc kiểu song song
c. Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu nối tiếp
d. Hạn chế mức trên -E mắc kiểu nối tiếp
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
Câu 66: Cho đặc tuyến thể hiện mối liên hệ giữa Uout và Uin như hình vẽ. Đây là đặc tuyến mạch a. Hạn chế mức trên b. Chỉnh lưu cầu c. Hạn chế mức dưới
d. Chỉnh lưu 1 nửa chu kì
Câu 69: Khi nhiệt độ của 1 diode (có m=1) tăng từ 25 độC (UT=25mV, IS=1nA, UD=0.5V) lên
60 độC (UT=28.7mV, IS=200nA, UD=0.45V). Dòng điện chạy qua diode tăng xấp xỉ: a. 1.2 lần b. 2.7 lần c. 5 lần d. 12 lần
Câu 70: Cho một diode với thông số sau: m=1; UT=25mV; IS=1nA; UD=0.4V. Dòng điện chạy qua diode xấp xỉ: a. 6.2mA b. 3mA c. 14mA d. 8.9mA
Câu 72: Diode trong hình vẽ đang hoạt động trong vùng đánh thủng do điện (vùng zener).
Khi điện áp vào tăng trong 1 phạm vi cho phép để không làm hỏng diode thì
a. Điện áp trên Rt tăng theo b. Dòng Iz giảm
c. Điện áp trên Rt giảm đi d. Dòng I giảm e. Dòng It không đổi
Câu 73: Tại 250C, 1 diode có PD(max)=1W, UD=0.7V. Dòng điện tối đa cho phép qua diode
giảm xấp xỉ bn lần để nhiệt độ tăng lên 60 độC(PD(max)=0.4W, UD=0.55V) a. 4 lần b. 2 lần c. 1.3 lần d. 2.8 lần
Câu 74: Cho các đặc tuyến trong hình vẽ. Hình nào thể hiện đặc tuyến của mạch hạn chế mức dưới âm(74) a. Hình A b. Hình C c. Hình B d. Hình D
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
Câu 75:Cho 1 diode có các thông số: UD=0.8V, UT=25mV, IS=1nA, ID=20mA. Nội trở 1 chiều của diode A. 20Ω B. 30Ω C. 40Ω D. 60Ω
Câu 76: Diode đang phân cực thuận bằng nguồn điện một chiều. Khi cấp thêm một thành
phần điện áp xoay chiều có biên độ là 0.1V vào diode, dòng điện qua diode biến thiên trong
khoảng 20mA. Nội trở động của diode xấp xỉ a. 10Ω b. 20Ω c. 0.1Ω d. 1Ω
Câu 77: Diode bị phân cực ngược khi
a. Dòng điện ngoài có xu hướng chạy cùng chiều với dòng khuếch đại
b. Điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo
c. Điện trường ngoài đủ nhỏ, chiều điện trường là không quan trọng
d. Từ trường ngoài ngược chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo
Câu 78: Mạch điện trong hình vẽ là a. Hạn chế trái phải b. Hạn chế trên c. Hạn chế dưới
d. Hạn chế cả trên và dưới
Câu 79: Cho một diode với thông số sau: m=1; UT=25mV; IS=1nA; ID=500mA. Điện áp trên diode xấp xỉ: a. 1,2V b. 0,5V c. 0,8V d. 0,1V
Câu 80: Điện thế nhiệt UT tại nhiệt độ 55 độC có giá trị xấp xỉ a. 28.1mV b. 25mV c. 29.9mV d. 26.1mV
Câu 81: Bán dẫn loại P có đặc điểm j khác so với bán dẫn thuần
a. Có 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 5 k tham gia vào lk cộng hóa trị nào
b. Thiếu 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 3 ở trong 1 lk cộng hóa trị
c. Không khác bán dẫn thuần
d. Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn
Câu 82: Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng
a. Điện áp thuận cực đại là 4,7V b. Điện áp mở là 4,7V
c. Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V
d. Các phương án đều sai
Câu 83: Dòng trôi là dòng:
a. Của các electron khi có sự chênh lệch về nồng độ
b. Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ
c. Của cả 2 loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
d. Các phương án đều sai
Câu 84: Mạch điện trong hình vẽ là mạch
a. Hạn chế mức dưới mắc kiểu song song
b. Hạn chế mức trên mắc kiểu song song
c. Hạn chế mức dưới mắc kiểu nối tiếp
d. Hạn chế mức trên mắc kiểu nối tiếp BJT
Câu 1: Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN a. Đúng b. Sai
Câu 2: Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base- Emitter. a. Đúng b. Sai
Câu 3: Trong BJT, hạt dẫn đa số trong miền emitter là hạt dẫn đa số trong miền base a. Đúng b. Sai
Câu 4: Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB) a. Đúng b. Sai
Câu 5: Hệ số khuếch đại dòng điện dc của 1 BJT có giá trị nhỏ hơn 20 đến 200 hoặc lớn hơn a. Đúng b. Sai
Câu 6: Đường tải tĩnh hay đường tải một chiều là một đường thẳng biểu diễn sự phụ thuộc
giữa điện áp và dòng điện của BJT trong vùng bão hòa. a. Đúng b. Sai
Câu 7: Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector là lớn nhất khi BJT bão hòa A. Đúng B. Sai
Câu 8: Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi βdc= βac= β. a. Đúng b. Sai
Câu 9: Dòng điện base (IB) của BJT rất nhỏ so với dòng điện collector(IC) và dòng điện emitter(IE) a. Đúng b. Sai
Câu 10: BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận a. Đúng b. Sai
Câu 11: Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào a. Đúng b. Sai
Câu 12: Thuật ngữ bipolar liên quan tới việc dùng cả lỗ trống và điện tử như là các hạt mang điện trong cấu trúc BJT a. Đúng b. Sai
Câu 13: Chức năng chính của BJT là tạo dao động
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 a. Đúng b. Sai
Câu 1: Hệ số β của BJT là
a. Hệ số khuếch đại dòng điện
b. Hệ số truyền đại dòng điện base
c. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
d. Hệ số khuếch đại công suất
Câu 2: Có mấy phương pháp phân cực cho BJT a. 2 b. 3 c. 4 d. 1
Câu 3: Về mặt lý thuyết, nếu tăng UCE trong khi UBE của BJT được giữ nguyên thì
a. Dòng điện base giảm nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm b. dòng điện base k đổi
c. dòng điện base tăng nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng
d. dòng điện base tăng tỷ lệ thuận với độ tăng của UCE
Câu 4: Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là a. base và emitter b. base và collector c. emitter và collector d. base
Câu 5: Thông thường, đặc điểm miền emitter của 1 BJT là
a. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất
b. Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất
c. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình
d. Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất
Câu 6: Đặc điểm miền base của một BJT thông thường là
a. Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất
b. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
c. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất
d. Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất
Câu 7: Đặc điểm miền collector của 1 BJT thông thường là
a. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất
b. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất
c. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình
d. Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất
Câu 8: Dòng điện emitter của 1 BJT được tạo ra do
a. Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán
sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C
b. Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán
sang miền B rồi một phần nhỏ chuyển sang C
c. Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
d. Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Câu 9: Khi đang hoạt động, dòng điện base của BJT được tạo ra do
a. Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
b. Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
c. Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái
hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
d. Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các
hạt dẫn đa số tại miền E
Câu 10: Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do
a. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C
b. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C
c. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang miền B
d. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B
Câu 11: Thông thường, điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân
cực thuận có giá trị xấp xỉ a. 0.3V b. 0.7V
c. 0.3V hoặc 0.7V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si d. 0.3V và 0.7V
Câu 12: Khi tiếp xúc emitter-base của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này sẽ a. Tăng lên b. Giảm đi c. Không đổi
d. Ban đầu không đổi sau đó tăng lên
Câu 13: Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải a. Cao hơn cực emitter b. Thấp hơn cực emitter c. Cao hơn cực collector
d. Thấp hơn cực emitter và cao hơn cực collector
Câu 14: Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải a. Cao hơn cực emitter b. Thấp hơn cực emitter c. Thấp hơn cực collector
d. Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector
Câu 15: Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại
a. Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B
b. Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B
c. Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B
d. Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lớn hơn điện áp ở cực B
Câu 16: Đối với BJT loại NPN, thông tin nào sau đây thể hiện nó làm việc ở chế độ khuếch
đại a. Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E
b. Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và nhỏ hơn điện áp ở cực E
c. Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và lớn hơn điện áp ở cực E
d. Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E
Câu 17: Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực emitter luôn
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
a. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base
b. Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector
c. Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector
d. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và lớn giá trị dòng điện ở collector
Câu 18: Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực collector luôn
a. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base
b. Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter
c. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter
d. Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực emitter
Câu 19: Trong một BJT, hệ số α được định nghĩa là
a. Hệ số khuếch đại dòng điện
b. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
c. Hệ số khuếch đại công suất
d. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện base
Câu 20: Điện áp trên tiếp xúc BE của BJT loại SI khi phân cực thuận là a. 0V b. 0.7V c. 0.3V d. VBB
Câu 21: Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng a. 0.05 b. 20 c. 0.95 d. 1.05
Câu 22: Hệ số β của BJT là
a. Hệ số khuếch đại dòng điện
b. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter
c. Hệ số khuếch đại công suất
d. Hệ số truyền đại dòng điện base
Câu 23: Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường
a. Nằm trong khoảng từ 0.3V đến điện áp của nguồn cung cấp b. Nhỏ và không quá 0.3V
c. Bằng điện áp giữa cực B và cực E
d. Xấp xỉ điện áp của nguồn cung cấp
Câu 24: Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho
đặc tuyến ra của nó mắc theo mô hình nào duwois đâu a. B chung (CB) b. C chung (CC)
c. C chung (CC) và B chung (CB)
d. Các phương án đưa ra đều sai
Câu 25: BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được
phân cực theo cách nào trong số sau đây a. Phân cực base b. Phân cực emitter
c. Phân cực bằng phân áp
d. Phân cực bằng hồi tiếp collector
Câu 26: Với một BJT tín hiệu nhỏ (small signal BJT), các điện trở rE, rB, rC trong mô hình
tương đương re thường có giá trị sắp xếp theo thứ tự tăng dần từ trái sang phải a. rE, rB, rC
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 b. rB, rE, rC c. rC, rB, rC d. rE, rC, rB
Câu 27: Một BJT được làm từ Si, có β=150, đang ở
trong mạch điện như hình vẽ, Nếu vì một lý do nào đó
mà β tăng lên, dòng collector sẽ a. Tăng lên b. Giảm đi c. Không đổi
d. Không kết luận được
Câu 28: Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là a. Phân áp
b. Phân cực base (Phân cực cố định) c. Phân cực emitter
d. Phân cực hồi tiếp collector
Câu 29: Một BJT được làm từ Si đang ở trong mạch
điện như hình vẽ. Nếu vì một lý do nào đó mà β tăng lên, dòng base sẽ a. Giảm đi b. Tăng lên c. Không đổi
d. Ban đầu không đổi, sau đó giảm mạnh
Câu 30: BJT trong hình vẽ được làm từ Si. Nếu Vcc tăng
gấp đôi, dòng điện base sẽ a. Giảm đi một nửa b. Tăng lên gấp đôi c. Gần như không đổi
d. Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi
Câu 31: BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si.
Biết Vcc=10V, Rc=1kΩ, Uin=0V. Tính Uout a. 0V b. 10V c. 0.3V d. 9V
Câu 32: BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ khuếch
đại. Biết rE=50Ω, RC=1kΩ và biên độ thành phần tín hiệu
xoay chiều tại cực B và VB=100mV
Tính biên độ điện áp xoay chiều tại cực C(Vout) a. 0V b. 2V c. 4.76V d. 6.71V
Câu 33: Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền emitter có đặc điểm
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
a. Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp trung bình
b. Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất
c. Có kích thước lớn nhất và nồng độ pha tạp nhỏ nhất
d. Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
Câu 34: Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền base có đặc điểm
a. Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
b. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
c. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
d. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Câu 35: Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền collector có đặc điểm
a. Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
b. Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
c. Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
d. Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Câu 36: Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do
a. Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền
B rồi phần lớn chuyển sang C
b. Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền
C rồi phần nhỏ chuyển sang B
c. Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
d. Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Câu 37: Dòng điện base của BJT được tạo ra do
a. Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E
b. Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
c. Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái
hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B
d. Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các
hạt dẫn đa số tại miền E
Câu 38: Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do
a. Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C
b. Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C
c. Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang B
d. Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B
Câu 39: Tham số nào liên quan đến việc tính hệ số ổn định của BJT khi đang hoạt động a. α b. IB c. UBE d. UCE
Câu 40: Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm, tham số bị thay đổi a. β b. UBE c. IC d. cả β, UBE và IC
Câu 41: Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây giảm đi a. β
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 b. UBE c. IC d. β và IC
Câu 42: Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây tăng lên a. IC b. UBE c. IB d. UBE và IB
Câu 43: Đối với một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại, điều kiện cần để điểm làm việc tĩnh
(một chiều) của nó nằm ở giữa đường tải tĩnh (một chiều) là
a. Giá trị một chiều UCE đạt cực đại và IC=IC(max)/2
b. Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và IC=IC(max)
c. Các phương án đưa ra đều sai
d. Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và IC=IC(max)/2
Câu 44: Một BJT chế tạo từ Si được phân cấp bằng
mạch điện có thông số như trong hình. Nếu điều
chỉnh R1 để IC tăng lên thì UCE sẽ a. Không đổi b. Tăng lên c. Giảm đi
d. Không kết luận được
Câu 45: BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si
Vcc=9V, VBB=3.5V, RC=1kΩ, RB=200kΩ, β=100 Uce bằng a. 0V b. 9V c. 7.6V d. 4.85V
Câu 46: BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si
VCC=VBB=10V, RC=1,5kΩ, RB=470kΩ và β=180. Uc= a. 0V b. 10V c. 5.3V d. 4.7V
Câu 47: BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si Vcc=10V, Rc=1kΩ và Uin=5Vdc
Để tạo ra Ib k nhỏ hơn 50μA, Rb k được lớn hơn a. 100kΩ b. 86kΩ c. 50kΩ d. 94kΩ
Câu 48: BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si Vcc=10V, Rc=1kΩ và Uin=5Vdc
Trong thực tế, Ic bão hòa của BJT là a. Khoảng 9.7mA b. Đúng bằng 10mA c. Xấp xỉ 0mA d. Khoảng 100mA
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623
Câu 49: BJT trong hình vẽ đang làm việc ở chế độ bão hòa Nếu IB tăng lên, IC sẽ a. Giảm đi b. Tăng lên c. Gần như không đổi
d. Ban đầu tăng lên, sau đó giảm đi
Câu 50: BJT trong hình vẽ được chế tạo từ Si. Vcc=10V, Rc=1kΩ và Uin=5V.
Nếu giảm giá trị Rc thì Ic cực đại sẽ a. Không đổi b. Giảm đi c. Tăng lên
d. Không kết luận được
Câu 51: Mạch khuếch đại dùng BJT mắc theo mô hình C chung có đặc điểm
a. Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1 và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ β
b. Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ β và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ 1
c. Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn 1 và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn β
d. Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn β và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn 1
Câu 53: Một BJT đang làm việc ở chế độ khuếch đại và được phân cực theo kiểu hồi tiếp
emitter bởi các điện trở RB, RC và RE nối tới các cực tương ứng. Một trong những giải pháp
để tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh (một chiều) là
a. Giảm giá trị điện trở RE
b. Tăng giá trị điện trở RE
c. Mắc nối tiếp với RE một tụ điện
d. Mắc song song với RE một tụ điện
Câu 57: Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng
mạch điện có thông số như trong hình. IE xấp xỉ a. 0.28mA b. 2.8mA c. 0.28A d. 2.8A
Câu 58: Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng
mạch điện như trong hình. Điện áp trên cực C so vs đất xấp xỉ a. 13.5V b. 13V c. 2.3V
d. 10.7V mai lộc dạy lại
Câu 59: Một BJT chế tạo từ Si được phân cực bằng
mạch điện như trong hình. Nếu tăng giá trị R2 lên,
điện áp trên cực B của BJT sẽ a. Tăng lên b. Giảm đi c. Không đổi
d. Không kết luận được
Câu 60: Khi BJT làm việc trong vùng khuếch địa tuyến tính, phương trình nào đúng a. IC= β x IB b. IC= β x IE c. IB= β x IC d. IB= β x IE
Câu 61: Khi đang hoạt động, một BJT có IE=10mA và IC=9.95mA. Dòng điện IB có giá trị
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 a. 1mA b. 19.95mA c. 0.5mA d. 0.05mA
Câu 62: Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là a. Base và emitter b. Base và collector c. Emitter và collector d. Base
Câu 63: Để một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại tín hiệu biên độ nhỏ thì
a. Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực thuận
b. Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực thuận, tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược
c. Tiếp xúc giữa các cực E-B phân cực ngược,tiếp xúc giữa các cực C-B phân cực ngược
d. Tất cả phương án đều sai
Câu 64: Mạch khuếch đại E chung có khả năng và đặc điểm (C chung cùng pha)
a. Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra ngược pha với điện áp vào
b. Khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
c. Khuếch đại dòng điện, không khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
d. Không khuếch đại dòng điện, khuếch đại điện áp, điện áp ra cùng pha với điện áp vào
Câu 65: Khi đo điện áp giữa các chân của BJT trong 1 mạch phân cực, ngta thu được các giá
trị là UBE=0V và UCB=UCE=EC(EC là điện áp nguồn cung cấp cho BJT).Kết luận có lý nhất
a. BJT đang được phân cực ở chế độ khuếch đại
b. BJT đang được phân cực ở chế độ bão hòa
c. BJT đang được phân cực ở chế độ cắt dòng d. BJT bị hỏng
Câu 66: Trong BJT loại NPN, hạt dẫn đa số trong cực Base là
a. Cả điện tử tự do và lỗ trống b. Các lỗ trống c. Các điện tử tự do
d. Các phương án đưa ra đều sai
Câu 67: Khi một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực giảm dần a. UB, UC, UE b. UC, UB, UE c. UE, UC, UB d. UE, UB, UC
Câu 68: Khi một BJT loại PNP làm vc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực tăng dần a. UB, UC, UE b. UC, UB, UE c. UE, UC, UB d. UE, UB, UC
Câu 69-70: Khi một BJT loại NPN làm vc ở chế độ khuếch đại, điện áp của các cực tăng dần a. UB, UC, UE b. UC, UB, UE c. UE, UC, UB d. UE, UB, UC
Câu 71: Khi một BJT loại PNP được chế tạo từ Ge làm việc trong vùng khuếch đại, điện áp
của cực B so với cực E là xấp xỉ a. -0.3V b. 0.3V c. 0.7V
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com) lOMoARcPSD|51338623 d. -0.7V
Câu 72: BJT làm việc ở chế độ chuyển mạch khi 2 tiếp giáp JE và JC ở trạng thái tương ứng a. Cùng thuận b. Cùng ngược c. Thuận-ngược d. Ngược-thuận
e. Cùng thuận hoặc cùng ngược
Câu 73: Khi đang hoạt động một BJT có β=125, IB=30μA. Tính Ic
Câu 74: Cho mđ như hình vẽ, biết Vcc=10V, Ic=5mA, UCE=5V, UBE=0.6V, β=100. Rb, Rc a. 188kΩ và 1kΩ b. 18.8kΩ và 1kΩ c. 18.8kΩ và 10kΩ d. 188kΩ và 10kΩ
Câu 75: Đặc tuyến ra của BJT mắc theo sơ đồ C chung (CC) là đồ thị của
a. Dòng điện base theo điện áp collector-emitter
b. Dòng điện collector theo điện áp base-emitter
c. Dòng điện collector theo điện áp collector-emitter
d. Dòng điện emitter theo điện áp collector-emitter
Câu 76: Khi đo điện áp chênh lệch giwuax các chân BJT trong một mạch phân cực, ngta thu
được các giá trị UCB=UCE=UEB=0V. Nếu cả Ib và Ic đều khác 0, KL nào có lý nhất
a. BJT đang được phân cực ở chế độ khuếch đại
b. BJT đang được phân cực ở chế độ bão hòa
c. BJT đang được phân cực ở chế độ cắt dòng (ngưng dẫn) d. BJT bị hỏng
Câu 77: Mối quan hệ giữa các dòng điện IE, IB, IC trong BJT là a. IE=IB+IC b. IC=IB+IE c. IB=IE+IC d. IB=IE=IC
Câu 78: Khi đang hoạt động, một BJT có IC=5mA và IB=20μA. Hệ số khuếch đại dòng điện 1 chiều β có giá trị a. 250 b. 100 c. 25 d. 4 Vi mạch tương tự I. Câu hỏi True/False
Câu 2: Chế độ nén mode chung(Common mode rejection) của vi mạch KĐTT có nghĩa là một
tín hiệu xuất hiện ở cả hai đầu vào bị loại bỏ một cách hiệu quả A. Đúng B. Sai
Câu 3: Hầu hết các vi mạch khuếch đại thuật toán làm việc với hai nguồn điện áp được cung
cấp (một là nguồn dương, còn lại là nguồn âm) A. Đúng B. Sai
Câu 4: Hệ số khuếch đại điện áp vòng hở của vi mạch KĐTT có thể có giá trị lên tới 1.000.000 hoặc lớn hơn A. Đúng
Downloaded by Tùng Thanh (phantranthanhtung2006@gmail.com)