Slide bài giảng môn Cơ sở kỹ thuật điện nội dung chương 11: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Slide bài giảng môn Cơ sở kỹ thuật điện nội dung chương 11: Mạch khuếch đại công suất âm tần của Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh với những kiến thức và thông tin bổ ích giúp sinh viên tham khảo, ôn luyện và phục vụ nhu cầu học tập của mình cụ thể là có định hướng ôn tập, nắm vững kiến thức môn học và làm bài tốt trong những bài kiểm tra, bài tiểu luận, bài tập kết thúc học phần, từ đó học tập tốt và có kết quả cao cũng như có thể vận dụng tốt những kiến thức mình đã học vào thực tiễn cuộc sống. Mời bạn đọc đón xem!
Môn: Cơ sở kỹ thuật điện 21 tài liệu
Trường: Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh 3.1 K tài liệu
Tác giả:
Preview text:
lOMoARcPSD| 36086670
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO
ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Bộ
Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN
11.1 khái niệm cơ bản
Công suất ngõ vào Pin = Pdc lOMoARcPSD| 36086670
Công suất ngõ ra Pout = Pac
Hiệu suất của mạch khuếch ại
11.2 Phân loại MẠCH KĐCS LỚP A MẠCH KĐCS LỚP B lOMoARcPSD| 36086670 MẠCH KĐCS LỚP AB MẠCH KĐCS LỚP C MẠCH KĐCS LỚP D
11.2 Phân loại
MẠCH KĐCS LỚP A lOMoARcPSD| 36086670
11.2 Phân loại
MẠCH KĐCS LỚP B lOMoARcPSD| 36086670
11.2 Phân loại
MẠCH KĐCS LỚP AB lOMoARcPSD| 36086670
11.2 Phân loại
MẠCH KĐCS LỚP C lOMoARcPSD| 36086670
11.2 Phân loại
MẠCH KĐCS LỚP D lOMoARcPSD| 36086670
MẠCH KĐCS LỚP D HOẠT ĐỘNG Ở
CHẾ ĐỘ XUNG ( ĐÓNG NGẮT) lOMoARcPSD| 36086670 DCLL và ACLL lOMoARcPSD| 36086670 11.3 Chế
ộ khuếch ại lớp A
11.3.1 Ghép trực tiếp I B VCC 0.7V RB VCE VCC I RC C IC 1 VCE Vcc RC RC Ic 1 Vce RC
Downloaded by Dung Tran (tiendungtr12802@gmail.com) lOMoARcPSD| 36086670 Phân cực DC: IC IB Phân cực AC: iCRC + vce = 0 1010 lOMoARcPSD| 36086670 11.3 Chế
ộ khuếch ại lớp A
11.3.1 Ghép trực tiếp
Công suất nguồn cung cấp: Pin=Pcc=VccICC; Với P dci (
) V ICC CQ ICC=IC+IB=IC=ICQ Vậy: Công suất ngõ vce( p p ) c( p p ) ra:
P acO( ) v vce(max) c(max)i i ice c Hiệu suất của 2 8 mạch: lOMoARcPSD| 36086670 % P acO ( ) 100% P dci ( )
Công suất tiêu tán trên transistor: PT P dc P aci ( ) O ( )
11.3 Chế ộ khuếch ại lớp A
11.3.1 Ghép trực tiếp P(dc) V Ii CC CQ Hiệu suất cực ại: I CQ V V CC VCC CEQ 2 2R C lOMoARcPSD| 36086670 V 2 max(P acO( )) CC 8RC V 2 max( ( ))P dc i V ICC CQ CC 2RC v ce(m i
ax)c(max) v ce(p p i ) c(p p) P( O ac) 2 8 CC V Q nằm giữa ACLL: max(v ce p p ( max(i ) ) ) V CC C( p p ) R C lOMoARcPSD| 36086670 max( %) max( ( ))P
khuếch ại lớp A: aco 100% 25% max( ( ))P dci
Hiệu suất cực ại của chế ộ lOMoARcPSD| 36086670 11.3 Chế
ộ khuếch ại lớp A 11.3.2 Ghép LC lOMoARcPSD| 36086670
11.3 Chế ộ khuếch ại lớp A 11.3.2 Ghép LC lOMoARcPSD| 36086670 11.3 Chế
ộ khuếch ại lớp A
11.3.3 Ghép MBA lOMoARcPSD| 36086670
11.3 Chế ộ khuếch ại lớp A
11.3.3 Ghép MBA lOMoARcPSD| 36086670
11.3.4 Ưu và nhược
Lớp A : Transistor chỉ làm việc trong cả chu kỳ tín
hiệu ngõ vào nên phải phân cực DC cho transistor. Ưu iểm :
Méo phi tuyến ít do chọn ược ặt tuyến làm
việc của transistor. Nhược iểm :
+ Công suất tín hiệu ra nhỏ do mạch chỉ
làm việc với tín hiệu nhỏ.
+ Hiệu suất bé do phải phân cực DC trước
cho transistor => gây tiêu tán DC không mong muốn 1717 lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B 11.4.1 Giới thiệu 1818 lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B
11.4.2 Mạch KĐCS ẩy kéo lớp B lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B
11.4.2 Mạch KĐCS ẩy kéo lớp B lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B
11.4.2 Mạch KĐCS ẩy kéo lớp B lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B
11.4.2 Mạch KĐCS ẩy kéo lớp B
Hiệusuấtcủa
MKĐ lớp B: lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B
11.4. 4 Hiện tượng méo xuyên tâm lOMoARcPSD| 36086670
11.4 Mạch KĐCS lớp B Ưu iểm :
Do mỗi transistor làm việc ở một bán kỳ tín hiệu nên
mạch có thể hoạt ộng với tín hiệu có biên ộ lớn => công suất
ra trên tải của mạch lớn. Hiệu suất cao. Nhược iểm:
+ Méo xuyên tâm do ngưỡng dẫn của transistor.
+ Biến áp cồng kềnh, ắt tiền.
+ Để tín hiệu ngõ ra không bị méo dạng các biến áp
trong mạch phải có cuộn sơ cấp (T2) và thứ cấp (T1 ) ối xứng.
+ Méo tín hiệu ở cuộn thứ cấp biến áp khi tín hiệu
vào cuộn sơ cấp lớn do hiện tượng từ trễ lOMoARcPSD| 36086670
11.5. Mạch KĐCS chế ộ lớp AB
Mạch KĐCS âm tần lớp AB transistor ghép bổ phụ: mạch OTL, mạch OCL.
Lớp AB: Transistor chỉ làm việc trong một bán kỳ của tín
hiệu ngõ vào nhưng ể tránh méo xuyên tâm ta phải phân
cực trước cho mỗi transistor, iện áp mối nối VBE và VEB ủ
lớn ( 0.7 V) ể khi có tín hiệu xoay chiều ngõ vào thì
transistor sẽ dẫn ngay.
Do hạn chế của mạch KĐCS âm tần dùng biến áp
nên ể tránh các hạn chế ó thì ta không dùng biến áp
trong các mạch KĐCS âm tần nữa => mạch KĐCS âm tần
không dùng biến áp ở ngõ ra dạng OTL lOMoARcPSD| 36086670
11.5. Mạch KĐCS chế ộ lớp AB MẠCH V KĐCS OCL i Pdc VI CC V dc L(p)= Vi(p) lOMoARcPSD| 36086670 I p L V pL RL 2 ( )V pL CC RL V p 2L( ) P aco 2RL %
P aco () 100% V pL2( ) RL 100% 78.54V p L ( ) % P dci () 2RL VCC 2V pL ( ) VCC lOMoARcPSD| 36086670
11.5. Mạch KĐCS chế ộ lớp AB lOMoARcPSD| 36086670 lOMoARcPSD| 36086670
11.6 Méo do sóng hài lOMoARcPSD| 36086670
11.7 MẠCH KĐCS LỚP C lOMoARcPSD| 36086670
11.8 MẠCH KĐCS LỚP D lOMoARcPSD| 36086670