lOMoARcPSD|36086670
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO
ĐH
Sư Phạm Kỹ Thuật
TP.HCM
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ Bộ
Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện
CHAPTER XIV: THYRISTOR
VÀ LINH KIỆN QUAG ĐIỆN
TỬ
14.1. HỌ THYRISTOR
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley):
lOMoARcPSD| 36086670
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley):
Một linh kiện ơn giản nhất của
họ Thyristor chính là diode 4
lớp,là linh kiện có 2 iện cực,4
lớp bán dẫn có thể ược kích
hoạt dẫn bằng cách ặt một iện
áp phân
cực thuận lên 2 cực
của nó
3
Hoạtộngcủa
diode 4
lớp
:
Phân
cựcthuận
:
lOMoARcPSD|36086670
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley):
when V
AK
=
V
F
Phương
pháp
tắt
diode 4
lớp
4
+
ngắt
dònganode:
lOMoARcPSD|36086670
+ Giảm dòng IF :
Các thông số của diode 4 lớp
-VBR(F) vaø IBR(F) .
- IT.
- I
H
.
- V
BR(R)
.
- IFmax, PD,
Diode 4 lớp chỉ dẫn khi iện áp phân cực thuận ặt lên nó ạt ến
giá trị VBR(F) và khi nó dẫn thì iện trở của nó xuống thấp - Để
tắt diode 4 lớp thì dòng IF nhỏ hơn dòng IH.
lOMoARcPSD|36086670
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley):
14.1. HỌ THYRISTOR
14.1.2.SCR (Silicon-Controlled Rectifier)
SCR hoạt ộng như Diode 4 layers, but do SCR thêm chân
gate(cổng) nên ngoài việc iều khiển SCR từ trạng thái tắt sang
lOMoARcPSD|36086670
trạng thái mở giống diode 4 lớp, có thể dùng chân gate iều khiển
mở SCR.
6
lOMoARcPSD|36086670
14.1.2.SCR (Silicon-Controlled Rectifier)
Đặt tính V-A of SCR: Các thông số của SCR:
+ iện áp ánh thủng phân cực
thuận và phân cực nghịch cực
ại. + dòng iện thuận cực ại.
+iện áp dòng iện cổng.
+dòng giữ (I
H
).
+ công suất tiêu hao. + tốc
tăng giớ hạn củaSCR
dV/dt. ứng dụng của
SCR:
+ bảo vệ quá áp( Crowbar)
lOMoARcPSD|36086670
+ iều khiển pha
8
lOMoARcPSD|36086670
14.1. HỌ THYRISTOR
14.1.3. Diac và triac
a. Diac
Đặc
tínhV
A
của
diac:
lOMoARcPSD|36086670
14.1.3. Diac và triac
b. Triac
Đặt
tínhV
A
của
Triac:
lOMoARcPSD|36086670
14.1.3. Diac và triac
b. Triac
Thông số của triac: ứng dụng của triac
Điều khiển pha
+ iện áp phân cực thuận và nghịch
(V BR(F) và V BR(R) )
+ dòng cực ại
+ dòng giữ I H
+ áp cổng và dòng kích khởi
+ tốc ộ
óng cắt
+ dV/dt
Những họ linh kiện thyristor khác
: + GTO (Gate Turn-off)
+ SCS (Silicon Control Switch)
+ SBS ( Silicon Bilateral Switch)
+ SIDAC
lOMoARcPSD|36086670
14.2 UJT (Unijunction Transistors)
Vp(peak) là iện áp ngưỡng
lOMoARcPSD|36086670
14.2 UJT (Unijunction Transistors)
Nguyên tắc
hoạt ộng của
lOMoARcPSD|36086670
UJT ứng dụng của UJT
+mạch dao ộng kích thoát nguồn dc
lOMoARcPSD|36086670
+mạch dao ộng kích thoát nguồn dc
Để
UJT
tắt
(
ngưngdẫn
)
P
P
lOMoARcPSD|36086670
Để UJT dẫn(iện áp trên tụ ạt V khi cực E có dòng I
Chu kỳ dao ộng:
PUT (The Programmable UJT)
Giống như SCR
lOMoARcPSD|36086670
14.2 UJT (Unijunction Transistors)
lOMoARcPSD|36086670
PUT ược lập trình bằng iện
áp phân cực giữa cực cổng
Phân
cực
ặt
tính
của
PUT
thông
sốcủa
PUT
lOMoARcPSD|36086670
cathode
14.2 UJT (Unijunction Transistors)
Mạch dao ộng kích thoát của PUT.
lOMoARcPSD|36086670
Chu kỳ dao ộng:
lOMoARcPSD|36086670
lOMoARcPSD|36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
14.3.1. ặc iểm của ánh sáng :
Ánh sáng là một năng lượng iện từ
phụ thuộc vào giới hạn của tần số, phổ
ánh sánh từ 30 THz ến 3
C =
3.10
17
nm/s
lOMoARcPSD|36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
PHz
lOMoARcPSD|36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
14.3.2.Photodidode 14.3.3. Phototransistor
lOMoARcPSD|36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
lOMoARcPSD|36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
14.3.4. Photo - Darlington: 14.3.5. LASCR (light-activated
SCR) hay photo-SCR
lOMoARcPSD|36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
14.3.6. Opto
:
lOMoARcPSD|36086670

Preview text:

lOMoARcPSD| 36086670
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO ĐH
Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Bộ
Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện
CHAPTER XIV: THYRISTOR
VÀ LINH KIỆN QUAG ĐIỆN TỬ 14.1. HỌ THYRISTOR
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley):
lOMoAR cPSD| 36086670
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley):
Một linh kiện ơn giản nhất của
họ Thyristor chính là diode 4
lớp,là linh kiện có 2 iện cực,4
lớp bán dẫn có thể ược kích
hoạt dẫn bằng cách ặt một iện
áp phân cực thuận lên 2 cực của nó Hoạtộngcủa
diode 4 lớp :
Phân cựcthuận : 3 lOMoARcPSD| 36086670
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley): when V = V AK F Phương pháp tắt lớp diode 4 + ngắt dònganode: 4 lOMoARcPSD| 36086670 + Giảm dòng IF :
Các thông số của diode 4 lớp -VBR(F) vaø IBR(F) . - IT. - IH. - VBR(R). - IFmax, PD,
Diode 4 lớp chỉ dẫn khi iện áp phân cực thuận ặt lên nó ạt ến
giá trị VBR(F) và khi nó dẫn thì iện trở của nó xuống thấp - Để
tắt diode 4 lớp thì dòng IF nhỏ hơn dòng IH.
lOMoARcPSD| 36086670
14.1.Diode 4 lớp (diode Shockley): 14.1. HỌ THYRISTOR
14.1.2.SCR (Silicon-Controlled Rectifier)

SCR hoạt ộng như Diode 4 layers, but do SCR có thêm chân
gate(cổng) nên ngoài việc iều khiển SCR từ trạng thái tắt sang lOMoARcPSD| 36086670
trạng thái mở giống diode 4 lớp, có thể dùng chân gate iều khiển mở SCR. 6 lOMoARcPSD| 36086670
14.1.2.SCR (Silicon-Controlled Rectifier)
Đặt tính V-A of SCR:
Các thông số của SCR:
+ iện áp ánh thủng phân cực
thuận và phân cực nghịch cực
ại. + dòng iện thuận cực ại.
+iện áp và dòng iện cổng. +dòng giữ (IH).
+ công suất tiêu hao. + tốc
ộ tăng giớ hạn củaSCR dV/dt. ứng dụng của
SCR:
+ bảo vệ quá áp( Crowbar) lOMoARcPSD| 36086670 + iều khiển pha 8 lOMoARcPSD| 36086670 14.1. HỌ THYRISTOR
14.1.3. Diac và triac a. Diac
Đặc tínhV –A của diac: lOMoARcPSD| 36086670
14.1.3. Diac và triac b. Triac
Đặt tínhV –A của Triac: lOMoARcPSD| 36086670
14.1.3. Diac và triac b. Triac
Thông số của triac:
ứng dụng của triac Điều khiển pha
+ iện áp phân cực thuận và nghịch (V BR(F) và V BR(R) ) + dòng cực ại + dòng giữ I H
+ áp cổng và dòng kích khởi + tốc ộ óng cắt + dV/dt
Những họ linh kiện thyristor khác
: + GTO (Gate Turn-off)
+ SCS (Silicon Control Switch)
+ SBS ( Silicon Bilateral Switch) + SIDAC lOMoARcPSD| 36086670
14.2 UJT (Unijunction Transistors)
Vp(peak) là iện áp ngưỡng lOMoARcPSD| 36086670
14.2 UJT (Unijunction Transistors) Nguyên tắc
hoạt ộng của lOMoARcPSD| 36086670
UJT ứng dụng của UJT
+mạch dao ộng kích thoát nguồn dc lOMoARcPSD| 36086670 P P
Để UJT tắt ( ngưngdẫn )
+mạch dao ộng kích thoát nguồn dc lOMoARcPSD| 36086670
Để UJT dẫn(iện áp trên tụ ạt V khi cực E có dòng I Chu kỳ dao ộng:
PUT (The Programmable UJT) Giống như SCR lOMoARcPSD| 36086670
14.2 UJT (Unijunction Transistors) lOMoARcPSD| 36086670
Phân cực ặt tính của PUT
thông sốcủa PUT
PUT ược lập trình bằng iện
áp phân cực giữa cực cổng lOMoARcPSD| 36086670 cathode
14.2 UJT (Unijunction Transistors)
Mạch dao ộng kích thoát của PUT. lOMoARcPSD| 36086670 Chu kỳ dao ộng: lOMoARcPSD| 36086670 lOMoARcPSD| 36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
14.3.1. ặc iểm của ánh sáng :
Ánh sáng là một năng lượng iện từ
phụ thuộc vào giới hạn của tần số, phổ
ánh sánh từ 30 THz ến 3
C = 3.1017 nm/s lOMoARcPSD| 36086670 14.3 LINH KIỆN QUANG PHz lOMoARcPSD| 36086670 14.3 LINH KIỆN QUANG 14.3.2.Photodidode
14.3.3. Phototransistor lOMoARcPSD| 36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG lOMoARcPSD| 36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG
14.3.4. Photo - Darlington: 14.3.5.
LASCR (light-activated SCR) hay photo-SCR lOMoARcPSD| 36086670
14.3 LINH KIỆN QUANG 14.3.6. Opto: lOMoARcPSD| 36086670